熱障涂層的裂紋擴(kuò)展失效的檢測方法及系統(tǒng) 979     

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本發(fā)明公開了一種熱障涂層的裂紋擴(kuò)展失效的檢測方法，包括：獲取熱障涂層體系數(shù)據(jù)，根據(jù)熱障涂層體系數(shù)據(jù)對熱障涂層在部件水平上進(jìn)行計算機(jī)建模；獲取部件熱機(jī)械載荷，計算得到當(dāng)前氧化層的厚度；獲取陶瓷層的材料參數(shù)以及氧化層與頂部陶瓷層界面的幾何構(gòu)型；根據(jù)獲取的陶瓷層的材料參數(shù)以及氧化層與頂部陶瓷層界面的幾何構(gòu)型得到裂紋分布概率密度；根據(jù)裂紋分布概率密度計算得到典型主裂紋尺寸，如果典型主裂紋尺寸小于裂紋失效尺寸閾值，則裂紋擴(kuò)展未失效，否則，失效。以統(tǒng)計分析方法獲取熱障涂層在隨機(jī)使用過程中微觀結(jié)構(gòu)損傷特征的概率分布，涵蓋了TBC失效的多種因素，能準(zhǔn)確實時對當(dāng)前TBC損傷狀況進(jìn)行判斷，并達(dá)到工程可用的精度。

光伏組件PID失效現(xiàn)場測試方法及用于該方法的檢測設(shè)備 875     

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本發(fā)明提供了一種光伏組件PID失效現(xiàn)場測試方法及用于該方法的檢測設(shè)備，其中所涉及現(xiàn)場測試方法包括獲取待測光伏組件邊緣電池串的第一填充因子與光伏組件中間電池串的第二填充因子，并將所述第一填充因子與所述第二填充因子進(jìn)行比較，若所述第一填充因子相對所述第二填充因子的減小幅度超過既定閾值，則判斷該光伏組件出現(xiàn)PID失效；采用本發(fā)明所提供的光伏組件PID失效現(xiàn)場測試方法，通過對同一光伏組件邊緣電池串與中間電池串的填充因子進(jìn)行對比，并基于其差值幅度即可快速判定該光伏組件是否PID失效，本發(fā)明所提供的現(xiàn)場測試方法操作簡潔，無需進(jìn)行EL檢測，適用于項目現(xiàn)場的光伏組件的快速檢測。

機(jī)械系統(tǒng)的功能失效表征檢測方法 979     

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本發(fā)明公開一種機(jī)械系統(tǒng)的功能失效表征檢測方法，針對金屬材質(zhì)的機(jī)械系統(tǒng)，以阻值作為機(jī)械系統(tǒng)中零部件的顯著失效判據(jù)，預(yù)先定義組成結(jié)構(gòu)參數(shù)、廣義載荷參數(shù)和零部件的強(qiáng)度性能參數(shù)，分析機(jī)械零件的主要失效模式，并根據(jù)主要失效模式確定對應(yīng)的失效物理模型，并建立機(jī)械零件的不確定性輸入及對應(yīng)的分布類型，并通過重復(fù)試驗，采取隨機(jī)取樣的方式模擬不同類型的機(jī)械失效模型，并根據(jù)不同的機(jī)械失效模型獲取不同的失效場景參數(shù)并歸總，根據(jù)各主要失效模式對應(yīng)的隨機(jī)響應(yīng)及隨機(jī)分布，建立樹形圖并獲得其邊緣概率密度，從而獲得機(jī)械系統(tǒng)的失效概率特征，本發(fā)明的優(yōu)點在于可以同時實現(xiàn)對機(jī)械系統(tǒng)失效的事先預(yù)測和快速檢測。

鎢極焊接失效預(yù)判檢測裝置及其檢測方法 729     

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本申請公開了一種鎢極焊接失效預(yù)判檢測裝置，其包括：工作臺、電動底座、影像儀裝置、操作機(jī)及控制裝置，所述電動底座、操作機(jī)及控制裝置安裝在工作臺的同一面，所述影像儀裝置連接于電動底座的上方，所述電動底座能夠驅(qū)動影像儀裝置旋轉(zhuǎn)運動，所述操作機(jī)能夠夾持旋轉(zhuǎn)焊槍，所述控制裝置能夠控制操作機(jī)和電動底座，所述影像儀裝置用于拍照焊槍的鎢極端部，從而實現(xiàn)自動反饋鎢極端部是否失效。

伺服驅(qū)動器電流檢測回路的失效檢測方法 705     

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本發(fā)明公開了一種伺服驅(qū)動器電流檢測回路的失效檢測方法，包括：描述伺服電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)在dq旋轉(zhuǎn)參考系的電壓方程；基于電壓方程和伺服驅(qū)動器的數(shù)字控制機(jī)制，根據(jù)電機(jī)的模型參數(shù)和上一拍的電壓信號和電流信號預(yù)測當(dāng)前采樣時刻旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下的電流信號；通過硬件對電流信號進(jìn)行采集及信號調(diào)理后，將信號傳送至MCU解析得到三相電流的瞬時值，將三相電流通過矢量角度變換后得到旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下的電流瞬時值；根據(jù)電機(jī)預(yù)估的電流和實際采集到的電流的誤差進(jìn)行判定，當(dāng)誤差超過判定閾值時，電流檢測回路的故障標(biāo)志位置位；在故障置位后，封鎖PWM波，顯示相應(yīng)的電流檢測回路故障。由軟件實現(xiàn)，簡單可靠，不受到硬件方案的影響，保證系統(tǒng)安全穩(wěn)定。

汽車CAN通訊失效檢測系統(tǒng)及其檢測方法 672     

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本發(fā)明公開了一種汽車CAN通訊失效檢測系統(tǒng)及其檢測方法，其通過CAN通訊數(shù)據(jù)分類計數(shù)，計量每組CAN通訊數(shù)據(jù)的無法正常接收的次數(shù)（即無法正常接收的周期數(shù)），當(dāng)超過限定的次數(shù)后即認(rèn)定為CAN通訊數(shù)據(jù)存在失效情況，然后故障識別單元即可根據(jù)類別或者分析對應(yīng)CAN通訊數(shù)據(jù)的ID從而判斷發(fā)生故障的汽車電子部件，進(jìn)而在對其進(jìn)行處理（比如超級電容由于CAN中斷后無法取得真實數(shù)據(jù)，那就做出相應(yīng)的處理，比如必須關(guān)閉發(fā)電機(jī)，防止由于數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確而使發(fā)電機(jī)盲目的充電，造成電容爆炸的事故）。如此，提高汽車的整體安全性，而且在汽車CAN通訊出現(xiàn)失效故障時可直觀地將發(fā)生故障的元件位置反應(yīng)給用戶，簡潔易行。

用于失效分析的金屬軟管 865     

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本發(fā)明公開了一種用于失效分析的金屬軟管，包括軟管本體及連接所述軟管本體的連接部，所述連接部包括連接所述軟管本體一端的法蘭連接件及連接所述軟管本體另一端的卡扣連接件，所述卡扣連接件包括設(shè)于所述軟管本體一端的卡孔結(jié)構(gòu)以及與所述卡孔結(jié)構(gòu)配合使用的卡扣結(jié)構(gòu)，所述卡扣結(jié)構(gòu)包括靠近所述軟管本體一端的第一端部、遠(yuǎn)離所述軟管本體一端的第二端部以及連接所述第二端部及所述第一端部的中間部，所述中間部的截面直徑小于所述第一端部的截面直徑，所述卡扣結(jié)構(gòu)通過插置于所述卡孔結(jié)構(gòu)中以實現(xiàn)所述卡扣結(jié)構(gòu)與所述軟管本體之間的快速連接。本發(fā)明中通過設(shè)置卡扣連接件使得金屬軟管能夠與卡扣結(jié)構(gòu)快速連接，從而提高了方便性。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的覆蓋層剝除方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)失效分析方法 920     

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本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的覆蓋層剝除方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)失效分析方法，涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)失效分析技術(shù)領(lǐng)域，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的覆蓋層剝除方法包括如下步驟：提供承載基板，將多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)固定連接在所述承載基板的上表面，且半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的覆蓋層位于主體的上方；對承載基板上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的襯底進(jìn)行離子注入，然后對離子注入后的襯底進(jìn)行加熱；去除破裂殘渣；對剩余在主體上的襯底進(jìn)行研磨，以去除襯底。本方案可以同時對多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行集中處理，離子注入與加熱操作配合，使襯底開裂，達(dá)到去除襯底的絕大部分的效果，減少了對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機(jī)械研磨時間，能夠提高獲取的主體的良品率。

基于Excel的失效模式影響診斷分析工具及方法 853     

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本發(fā)明屬于功能安全技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于Excel的失效模式影響診斷分析工具及方法，包括建于Excel中的運行工況模塊、數(shù)據(jù)庫模塊、物料清單模塊、安全機(jī)制模塊、FMEDA永久性故障模塊、FMEDA瞬態(tài)故障模塊和報告模塊；本發(fā)明通過在Excel中建立失效模式影響診斷分析工具，取締了基于功能安全而全面開發(fā)的軟件，穩(wěn)定性高且對運行環(huán)境要求低。

閃存芯片失效分析夾具 773     

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本實用新型公開了一種閃存芯片失效分析夾具，包括：功能模塊、功能模塊底座、功能模塊按壓上蓋和閃存芯片按壓上蓋，所述功能模塊設(shè)置在功能模塊底座上，所述功能模塊按壓上蓋設(shè)置在功能模塊上方，所述閃存芯片按壓上蓋設(shè)置在功能模塊按壓上蓋上方，所述功能模塊包括芯片底座固定上蓋、芯片底座、彈簧針導(dǎo)向襯板和功能模塊組合上蓋，所述芯片底座設(shè)置在功能模塊組合上蓋上，所述彈簧針導(dǎo)向襯板設(shè)置在芯片底座下方，所述彈簧針導(dǎo)向襯板上設(shè)置有延伸至芯片底座內(nèi)的彈簧針，彈簧針與閃存芯片引腳一一對應(yīng)。通過上述方式，本實用新型所述的閃存芯片失效分析夾具，免去芯片的植球返工環(huán)節(jié)，提高了芯片失效分析的效率，安裝快捷。

用于芯片失效分析中定位的背面觀察基座及使用方法 749     

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本發(fā)明提供了一種用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座，其包括金屬支架，所述金屬支架的中心設(shè)有中心孔，在該中心孔中安裝有玻璃片，在所述玻璃片上還設(shè)置有用于提供基準(zhǔn)坐標(biāo)的兩個特殊標(biāo)記，所述兩個特殊標(biāo)記為蝕刻于或粘貼于所述玻璃片上的，其位置為所述背面觀察基座的玻璃片上的任何位置且可被設(shè)置為相同或者不同的形狀。由此，在失效分析分析中，在PEM/OBIRCH采用背面模式定位異常點時能夠在正面位置準(zhǔn)確找到并記錄異常點位置。本發(fā)明還涉及采用該背面觀察基座在芯片失效分析中進(jìn)行精確定位的方法。

倒裝芯片中失效結(jié)構(gòu)的位置標(biāo)記方法以及分析方法 927     

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本申請公開了一種倒裝芯片中失效結(jié)構(gòu)的位置標(biāo)記方法以及分析方法，位置標(biāo)記方法包括：獲取底部填充層中的失效結(jié)構(gòu)在互連結(jié)構(gòu)的陣列中的位置信息，位置信息以陣列的行列數(shù)表述；去除至少部分基板以形成暴露于外部的標(biāo)記面，其中每個互連結(jié)構(gòu)背離芯片的一端皆位于標(biāo)記面上；在標(biāo)記面上對位置信息所指示的位置做上標(biāo)記。本申請?zhí)峁┑牡寡b芯片中失效結(jié)構(gòu)的位置標(biāo)記方法以及分析方法，通過去除至少部分基板以形成將陣列中每個互連結(jié)構(gòu)上背離芯片的一端皆暴露于外部的標(biāo)記面，然后根據(jù)失效結(jié)構(gòu)的位置信息在標(biāo)記面上進(jìn)行標(biāo)記，實現(xiàn)了在倒裝芯片上對失效結(jié)構(gòu)進(jìn)行精準(zhǔn)標(biāo)記的目的，進(jìn)而降低了獲取失效結(jié)構(gòu)的橫向截面的操作難度。

基于設(shè)備失效數(shù)據(jù)分析的產(chǎn)品可靠性提升方法和系統(tǒng) 810     

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本發(fā)明公開了一種基于設(shè)備失效數(shù)據(jù)分析的產(chǎn)品可靠性提升方法，包括以下步驟：S1、采集核電設(shè)備的基礎(chǔ)信息和故障信息；S2、根據(jù)基礎(chǔ)信息和故障信息，進(jìn)行故障模式分析，確定每個類型核電設(shè)備的故障模式和對應(yīng)的失效部件；S3、根據(jù)基礎(chǔ)信息和故障信息，進(jìn)行設(shè)備可靠性計算和部件可靠性計算；S4、根據(jù)故障模式分析結(jié)果和來自經(jīng)驗反饋系統(tǒng)的數(shù)據(jù)，進(jìn)行共性問題分析，生成產(chǎn)品可靠性提升報告。本發(fā)明以實際失效數(shù)據(jù)作為依托，可以更系統(tǒng)性分析出產(chǎn)品存在的問題與改進(jìn)方向，比現(xiàn)有的依托經(jīng)驗反饋進(jìn)行改進(jìn)的方式，更加精確，可以作為設(shè)備制造商產(chǎn)品質(zhì)量改進(jìn)的基礎(chǔ)，同時也可為設(shè)備選型及電廠成本預(yù)算提供依據(jù)。

用于TEM樣品失效性分析的放置裝置 665     

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本實用新型公開了一種用于TEM樣品失效性分析的放置裝置，包括樣品桿、與樣品桿固定連接的樣品杯和用于放置待測樣品的金屬網(wǎng)，金屬網(wǎng)包括環(huán)形框和固定在環(huán)形框中間的金屬網(wǎng)格，樣品杯包括與樣品桿固定連接的杯下部、鉸接在杯下部上的杯上部，杯上部的一端通過鉸接件鉸接在杯下部的一端，杯上部的中部具有圓形的上開口，上開口的上端具有環(huán)形的卡置部，卡置部的底面上具有環(huán)形的插接部，杯下部的中部具有下開口，下開口的下端具有環(huán)形的支撐部，杯下部的上端面上具有與樣品桿的水平軸線平行的水平標(biāo)記線；環(huán)形框上具有與杯上部的插接部相配合的環(huán)形凹槽。本實用新型具有在費用低且使用效率高的情況下就可以獲得TEM樣品水平圖像的優(yōu)點。

基于深度度量學(xué)習(xí)的EDA電路失效分析方法 658     

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本發(fā)明公開了一種基于深度度量學(xué)習(xí)的EDA電路失效分析方法，包括步驟：一、根據(jù)原始分布對EDA電路樣本進(jìn)行蒙特卡羅采樣，生成蒙特卡羅采樣樣本，并進(jìn)行蒙特卡羅仿真，得到失效仿真結(jié)果；二、通過步驟一的蒙特卡羅采樣樣本和失效仿真結(jié)果，訓(xùn)練一個能夠?qū)⑹颖緟^(qū)分出來的深度度量學(xué)習(xí)模型；三、對待進(jìn)行失效分析的EDA電路，采用蒙特卡羅采樣方法生成足夠多的失效分析樣本，并利用步驟二中訓(xùn)練的深度度量學(xué)習(xí)模型對樣本進(jìn)行篩選，篩選出可能失效樣本；四、對可能失效樣本進(jìn)行SPICE電路仿真，得到失效的EDA電路并計算出失效率。本發(fā)明仿真效率高，可靠性高，在先進(jìn)工藝大規(guī)模電路的仿真分析中具有明顯的優(yōu)勢。

基于失效評定圖的未爆先漏分析方法 726     

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發(fā)明涉及一種基于失效評定圖（FAD）的未爆先漏（LBB）分析方法，包括以下步驟：（a）服役狀態(tài)分析；（b）初始裂紋選擇；（c）載荷分析；（d）線彈性應(yīng)力強(qiáng)度因子（SIF）計算；（e）極限載荷分析；（f）評定點坐標(biāo)計算；（g）FAD選擇；（h）評定點繪制；（i）彈塑性SIF計算；（j）J積分計算；（k）不同裂紋的J積分計算與擬合；（l）結(jié)構(gòu)失效臨界裂紋尺寸計算；（m）結(jié)構(gòu)臨界泄漏裂紋尺寸計算；（n）LBB準(zhǔn)則評估，本發(fā)明基于FAD理論，克服了現(xiàn)有規(guī)范中彈塑性分析理論基礎(chǔ)不足、現(xiàn)有J積分計算手冊適用范圍有限、有限元建模分析過程復(fù)雜，及計算結(jié)構(gòu)失效臨界裂紋尺寸和結(jié)構(gòu)臨界泄漏裂紋尺寸過程復(fù)雜等缺點，提供了一種基于FAD的LBB分析依據(jù)。

芯片結(jié)構(gòu)的散熱層缺陷失效分析方法 1141     

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本申請公開了一種芯片結(jié)構(gòu)的散熱層缺陷失效分析方法，基于芯片結(jié)構(gòu)的聲學(xué)圖像和三維圖像確定散熱層的第一厚度及其第一缺陷類型和尺寸；基于芯片結(jié)構(gòu)研磨樣品的掃描圖像確定散熱層的第二厚度及其第二缺陷類型和尺寸；對比所述第一厚度及其第一缺陷類型和尺寸和所述第二厚度及其第二缺陷類型和尺寸，確定分析結(jié)果?？梢栽诓黄茐男酒Y(jié)構(gòu)的情況下測算散熱層參數(shù)及定性失效模式，同時為后續(xù)破壞性分析提供數(shù)據(jù)對比，使得缺陷失效分析的準(zhǔn)確性較高。

半導(dǎo)體芯片的失效分析方法 984     

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本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體芯片的失效分析方法，包括：切割半導(dǎo)體芯片制備具有橫截面的樣品；對樣品的衡截面進(jìn)行研磨拋光、水洗并干燥樣品；配置化學(xué)染色液；將拋光好的樣品放入所述化學(xué)染色液中進(jìn)行染色處理；對染色處理后的樣品進(jìn)行清洗并干燥樣品；將樣品放置在掃描電鏡中進(jìn)行檢查并進(jìn)行顯微攝影，進(jìn)行失效分析。本發(fā)明在對樣品進(jìn)行研磨拋光之后，還采用化學(xué)染色液對樣品表面進(jìn)行化學(xué)處理，最后才使用掃描電子顯微鏡對摻雜物分布和結(jié)面輪廓進(jìn)行二維描述，并且能夠以較高的空間分辨率精確描繪摻雜剖面，從而可以對樣品的失效節(jié)點進(jìn)行詳細(xì)而準(zhǔn)確的分析。

半導(dǎo)體晶圓制造晶體管柵極硅氧化層失效的綜合分析方法 741     

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本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體晶圓制造晶體管柵極硅氧化層失效的綜合分析方法，所述綜合分析方法包括：（Ⅰ）采用電測量分析方法對存在柵極硅氧化層失效的樣品進(jìn)行失效定位；（Ⅱ）采用化學(xué)分析方法對樣品進(jìn)行失效機(jī)理模型判斷，判斷確定柵極硅氧化層的失效原因是雜質(zhì)污染，還是等離子體誘導(dǎo)損傷；（Ⅲ）如果失效機(jī)理模型是雜質(zhì)污染，則采用飛行時間二次離子質(zhì)譜對有柵極硅氧化層失效的樣品進(jìn)行污染元素定性探查；隨后通過動態(tài)二次離子質(zhì)譜對探查到的的污染元素進(jìn)行精準(zhǔn)定量測量。本發(fā)明采用更多的分析技術(shù)、儀器和方法聯(lián)合應(yīng)用于失效分析，能夠快速準(zhǔn)確地確定晶體管柵極硅氧化層的失效機(jī)理和模型，以便失效分析工程師提供更精準(zhǔn)的分析報告。

三維存儲器失效分析樣品制備方法 723     

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本發(fā)明涉及集成電路的失效分析技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種三維存儲器失效分析樣品制備方法，包括以下步驟：步驟一、對封裝進(jìn)行電測試，根據(jù)電測試結(jié)果確認(rèn)失效位置，并記錄下失效的log，使用封裝開封技術(shù)去除待分析芯片上方的塑封料(EMC)及芯片。本發(fā)明利用實時圖像采集及拼接技術(shù)，將真實芯片與設(shè)計圖紙進(jìn)行比對，并進(jìn)行位置修正，確定失效精確位置后，縮小目標(biāo)區(qū)域，通過階梯開口方式，精確掌握垂直層數(shù)，最終實現(xiàn)快速定位及分析，通過對實際芯片的位置修正和定位，能夠更準(zhǔn)確及快速的實現(xiàn)失效位置確定，大大縮減了誤判的發(fā)生率，并且由于定位準(zhǔn)確，失效目標(biāo)區(qū)域可以盡可能縮小，提高了分析操作效率。

電腦主板失效分析方法 915     

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本發(fā)明提供了一種電腦主板失效分析方法，該方法包括以下步驟：A、對樣品進(jìn)行外觀檢查，查看不良品表面是否有磨損、開裂等明顯異?，F(xiàn)象；B、對不良品進(jìn)行失效點定位；C、使用良品對定位的失效點進(jìn)行模擬驗證；D、將不良品制成失效點位置的金相切片，并使用聚焦離子束系統(tǒng)對金相切片表面進(jìn)行微切割；E、使用掃描電鏡和能譜分析儀對金相切片進(jìn)行分析，找出失效原因；F、模擬失效環(huán)境，對失效機(jī)理再次進(jìn)行驗證；G、綜合分析，給出結(jié)論。本發(fā)明有如下優(yōu)點：本發(fā)明分析方法步驟簡單，操作方便，有效提高失效分析的速度和準(zhǔn)確度，經(jīng)過初步分析、初步驗證、再次分析以及再次驗證，從而保證了失效理由的可信度，提高了失效分析結(jié)果的信服度。

壓力容器失效的分析方法 707     

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本發(fā)明公開了一種壓力容器失效的分析方法，包括以下步驟：S1、制定檢驗方案：確定壓力容器的相關(guān)工作參數(shù)，結(jié)合相關(guān)工作參數(shù)確定失效的具體內(nèi)容和形成原因，制定因素分析表，并對應(yīng)不同因素增加檢測方案；S2、方案分析：分析造成失效的不同因素間的相關(guān)性，對關(guān)鍵因素進(jìn)行標(biāo)記，分析造成因素的原因，記錄相關(guān)聯(lián)的工作參數(shù)及產(chǎn)生時間、產(chǎn)生頻率，同步的制定風(fēng)險防御方案；S3、失效分析前檢查：結(jié)合壓力容器的基本信息以及設(shè)備運行的實際情況，初步分析壓力容器是否符合特定工作狀態(tài)下各項指標(biāo)要求。本發(fā)明對壓力容器存在的潛在風(fēng)險進(jìn)行及時防控，實現(xiàn)高效排除不同環(huán)境下存在的隱患，有效提升壓力容器檢驗效果與質(zhì)量，適用于工業(yè)相關(guān)產(chǎn)業(yè)。

車載直流降壓芯片失效分析方法 834     

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本發(fā)明公開了一種車載直流降壓芯片失效分析方法，包括以下步驟：步驟1)外觀檢查；步驟2)良品與不良品I/V測試對比分析；步驟3)無損探傷對比分析；步驟4)開封內(nèi)部檢查；步驟5)EMMI對比分析；步驟6)匯總記錄，定位車載直流降壓芯片失效位置。本發(fā)明一種便捷、高效的分析方法，能夠快速定位芯片失效位置，并準(zhǔn)確分析出失效應(yīng)力來源。

半導(dǎo)體器件的失效分析方法及其設(shè)備 872     

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本發(fā)明揭示了一種半導(dǎo)體器件的失效分析方法及其設(shè)備，該方法包括以下步驟：S1：對半導(dǎo)體器件進(jìn)行失效位置分析確認(rèn)失效信息；S2：確認(rèn)目標(biāo)位置的觀測對象包括單個對象還是多個對象；S3：如確定觀測對象包括單個對象，則檢測單個對象的X和Y方向邊界尺寸和方向；S4：如確定觀測對象包括多個對象確認(rèn)觀測單個對象，檢測單個對象的X和Y方向邊界尺寸和方向；選擇對應(yīng)單個對象的電路布局圖，根據(jù)檢測到的邊界尺寸和方向，對單個對象的觀測畫面與其電路布局圖進(jìn)行匹配，使單個對象在觀測畫面上各個組件與其電路布局圖上的位置一一對應(yīng)。該方法可將觀測畫面的位置與實際電路布局圖上的位置匹配，快速找到觀測對象目標(biāo)，提高了失效分析效率。

PCBA失效分析方法 1040     

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本發(fā)明公開的屬于PCBA失效分析方法技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種PCBA失效分析方法，包括以下步驟：S1：對PCB板進(jìn)行外觀光學(xué)檢查，判斷其是否有污染、開裂或燒焦現(xiàn)象；S2：對步驟S1中判斷有污染的PCB板通過紅外光譜分析判斷其是否有機(jī)物污染，若有，檢測出有機(jī)物種類；通過元素分析判斷其是否有無機(jī)物污染，若有，檢測出無機(jī)物種類；S3：對步驟S1中判斷有污染或開裂的PCB板進(jìn)行電性能檢測，判斷其是否有電性異常；本發(fā)明的PCBA失效分析方法對PCB板的失效分析全面，本發(fā)明通過外觀光學(xué)檢查、污染物檢測、電性能檢測、X?RAY射線檢測、金相顯微鏡檢測和SEM+EDS分析，能夠有效的檢測處PCB板的失效原因。

失效分析中分析晶格缺陷的TEM樣品制備新方法 670     

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本發(fā)明公開了一種失效分析中分析晶格缺陷的TEM樣品制備新方法。該方法使用手動研磨代替聚焦離子束來制備TEM樣品，使樣品中的晶格缺陷在極小或極淺的情況下均能被發(fā)現(xiàn)，而且不受晶格缺陷的方向的影響。極大地促進(jìn)了晶格缺陷的發(fā)現(xiàn)與觀測，準(zhǔn)確率高，對TEM樣品的制備的研究具有重要意義。

液晶面板測試模組及液晶面板失效模式分析方法 1121     

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一種液晶面板測試模組及一種液晶面板失效模式分析方法,其中液晶面板測試模組包含:驅(qū)動電路、測試電路以及若干個開關(guān)。其中驅(qū)動電路包含:若干個信號輸入線及若干個信號輸出線,信號輸出線包含第一信號輸出線群組、第二信號輸出線群組和第三信號輸出線群組;測試電路包含第一測試信號線、第二測試信號線和第三測試信號線,分別與第一信號輸出線群組、第二信號輸出線群組和第三信號輸出線群組電連接;以及若干個開關(guān)分別位于第一測試信號線、第二測試信號線和第三測試信號線與每一信號輸出線之間。

電子產(chǎn)品的可靠性失效分析檢測方法 911     

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本發(fā)明公開了一種電子產(chǎn)品的可靠性失效分析檢測方法，包括以下步驟：S1、在電子產(chǎn)品元件上安裝溫度、電流和電壓監(jiān)測裝置；S2、將電子產(chǎn)品元件額定范圍輸入分析檢測單元并作為第一數(shù)據(jù)；S3、溫度、電流和電壓監(jiān)測裝置對電子產(chǎn)品元件實時數(shù)據(jù)檢測并上傳；S4、上述數(shù)據(jù)在分析檢測單元中與額定范圍值的最大值進(jìn)行比較計算，超出額定值關(guān)閉電子產(chǎn)品元件；S5、將失效數(shù)據(jù)通過失效數(shù)據(jù)顯示單元進(jìn)行顯示。本發(fā)明分析檢測方法簡單明了，通過數(shù)次檢測即可得出影響電子產(chǎn)品元件可靠性的主要原因，并針對性的進(jìn)行改進(jìn)，提高電子產(chǎn)品元件使用的可靠性，延長電子產(chǎn)品元件使用壽命，適合進(jìn)行推廣。

電容失效分析檢測方法 762     

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本發(fā)明涉及一種電容失效分析檢測方法，包括如下步驟：外觀檢查；內(nèi)視檢測，通過探傷檢測設(shè)備對失效電容進(jìn)行失效點定位，并確定失效點位置；初步確認(rèn)失效原因，根據(jù)失效點位置列出可能的失效原因；模擬試驗，根據(jù)失效原因?qū)α计冯娙葸M(jìn)行針對性的通電模擬，驗證可能的失效原因，并將良品電容在失效損毀后的失效點情況與失效電容的失效點位置進(jìn)行比對，確定失效原因；金相檢測，將失效電容制成失效點位置的金相切片并在金相顯微鏡下觀察確認(rèn)，再使用掃描電鏡和能譜分析儀對金相切片進(jìn)行掃面分析，驗證確定電容失效損毀原因并給出分析結(jié)論。本發(fā)明能夠快速、高效地確認(rèn)電容失效的根本原因，通過電容失效分析實現(xiàn)對于電子系統(tǒng)的工作可靠性的提高。

新型集成電路失效分析檢測方法 728     

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本申請實施例涉及一種新型集成電路失效分析檢測方法。根據(jù)本申請的一實施例，新型集成電路失效分析檢測方法包括：對集成電路組件進(jìn)行封膠以得到包含新型集成電路的膠柱體，其中集成電路組件包括晶片和襯底，襯底具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，晶片位于襯底的第一表面上；以及從靠近襯底的第二表面的膠柱體的底面進(jìn)行研磨至暴露襯底。本申請實施例提供的新型集成電路失效分析檢測方法可有效解決傳統(tǒng)技術(shù)中遇到的問題。