本申請公開了一種
芯片結(jié)構(gòu)的散熱層缺陷失效分析方法,基于芯片結(jié)構(gòu)的聲學(xué)圖像和三維圖像確定散熱層的第一厚度及其第一缺陷類型和尺寸;基于芯片結(jié)構(gòu)研磨樣品的掃描圖像確定散熱層的第二厚度及其第二缺陷類型和尺寸;對比所述第一厚度及其第一缺陷類型和尺寸和所述第二厚度及其第二缺陷類型和尺寸,確定分析結(jié)果。可以在不破壞芯片結(jié)構(gòu)的情況下測算散熱層參數(shù)及定性失效模式,同時為后續(xù)破壞性分析提供數(shù)據(jù)對比,使得缺陷失效分析的準(zhǔn)確性較高。
聲明:
“芯片結(jié)構(gòu)的散熱層缺陷失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)