本申請公開了一種倒裝芯片中失效結(jié)構(gòu)的位置標(biāo)記方法以及分析方法，位置標(biāo)記方法包括：獲取底部填充層中的失效結(jié)構(gòu)在互連結(jié)構(gòu)的陣列中的位置信息，位置信息以陣列的行列數(shù)表述；去除至少部分基板以形成暴露于外部的標(biāo)記面，其中每個(gè)互連結(jié)構(gòu)背離芯片的一端皆位于標(biāo)記面上；在標(biāo)記面上對位置信息所指示的位置做上標(biāo)記。本申請?zhí)峁┑牡寡b芯片中失效結(jié)構(gòu)的位置標(biāo)記方法以及分析方法，通過去除至少部分基板以形成將陣列中每個(gè)互連結(jié)構(gòu)上背離芯片的一端皆暴露于外部的標(biāo)記面，然后根據(jù)失效結(jié)構(gòu)的位置信息在標(biāo)記面上進(jìn)行標(biāo)記，實(shí)現(xiàn)了在倒裝芯片上對失效結(jié)構(gòu)進(jìn)行精準(zhǔn)標(biāo)記的目的，進(jìn)而降低了獲取失效結(jié)構(gòu)的橫向截面的操作難度。