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半導體結構的覆蓋層剝除方法及半導體結構失效分析方法

921 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:59:31

本發(fā)明提供了一種半導體結構的覆蓋層剝除方法及半導體結構失效分析方法，涉及半導體結構失效分析技術領域，半導體結構的覆蓋層剝除方法包括如下步驟：提供承載基板，將多個半導體結構固定連接在所述承載基板的上表面，且半導體結構的覆蓋層位于主體的上方；對承載基板上的半導體結構的襯底進行離子注入，然后對離子注入后的襯底進行加熱；去除破裂殘渣；對剩余在主體上的襯底進行研磨，以去除襯底。本方案可以同時對多個半導體結構進行集中處理，離子注入與加熱操作配合，使襯底開裂，達到去除襯底的絕大部分的效果，減少了對半導體結構的機械研磨時間，能夠提高獲取的主體的良品率。

聲明：

“半導體結構的覆蓋層剝除方法及半導體結構失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)