合金熔煉裝置撈取式扒渣裝置 1031     

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本實用新型合金熔煉裝置撈取式扒渣裝置，涉及冶金熔煉輔助設備技術領域，尤其涉及可自動調節(jié)高度、角度，自由選擇方向，清除金屬熔渣的裝置。本實用新型包括：走行結構、升降結構、連接結構、伸縮臂、撈渣勺；升降結構裝于走行結構的上部，可隨走行結構自由移動；伸縮臂的后端通過連接結構裝于升降結構上，并可在升降結構上上下移動；撈渣勺裝于伸縮臂的前端。本實用新型的技術方案解決了現(xiàn)有技術中的現(xiàn)有：夾式扒渣，由于夾齒間隙交大，高溫合金渣濺落易人員傷害；耙式扒渣，由于耙齒粗大、造成扒渣不徹底、不能保證合金液純凈；且二者都屬于復雜機械、設備體積大、重量沉、不易搬動等問題。

電子束淺熔池熔煉用水冷裝置 1037     

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本實用新型屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束淺熔池熔煉用水冷裝置,支撐底座內安裝有水冷支撐桿,石墨塊安裝于水冷支撐桿的上方,支撐底座上一側固定兩根水冷連通軸,水冷銅套環(huán)采用相對成圓形的兩瓣式結構,每瓣套環(huán)的一側有套孔,套孔與水冷連通軸套裝,每瓣套環(huán)可圍繞水冷連通軸轉動,套環(huán)的另一側設有開閉裝置,每瓣套環(huán)中開有冷卻水通道,套環(huán)開閉裝置一側的支撐底座上安裝有結晶器。本實用新型裝置結構緊湊,構思獨特,在硅錠的外壁套上多層銅套環(huán),在銅套環(huán)中形成淺層熔池,熔煉后去除磷雜質,此裝置使得熔化提純時間減少,整體提純時間減少,能耗降低,效率提高,去除效果良好,適合大規(guī)模工業(yè)化生產。

電子束高效、連續(xù)熔煉提純多晶硅的設備 1122     

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本實用新型屬于用物理冶金技術提純多晶硅領域。一種電子束高效、連續(xù)熔煉提純多晶硅的設備,加料真空閘室安裝與真空室相連通,出料真空閘室與真空室相連通,收集室與出料真空閘室相連通;加料真空閘室頂部帶有裝粉蓋,裝粉蓋下部安裝上裝粉桶,上裝粉桶出粉口對應落粉真空室門,落粉真空閥門連通下裝粉桶,下裝粉桶出料口下方放置硅塊,硅塊放置在坩堝中,坩堝出料口與傾斜銅槽上端連通,傾斜銅槽底端連通收集筒,收集筒底部出口對應落料真空閥門,落料真空閥門連通出料真空閘室,出料真空閥室內裝有冷卻筒,冷卻筒出料口連通收集室;真空室上方的電子束流對準硅錠。本實用新型結構簡單,采取連續(xù)加料和連續(xù)出料的熔煉方式,能耗小,成本低。

電子束熔煉技術高純化制備鎳基高溫合金的方法 1129     

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本發(fā)明公開了一種電子束熔煉技術高純化制備鎳基高溫合金的方法，具有如下步驟：S1、原料準備：S11、預處理、S12、加料；S2、熔煉準備：S21、真空預抽、S22、抽高真空、S23、燈絲預熱；S3、熔煉；S4、重復步驟S3，直至得到所需尺寸的合金。本發(fā)明可以大幅度提高合金鑄錠冶金質量，同時降低了合金中C、N、P、O等微量元素含量；提高出成率至85％以上；可以將合金的宏觀偏析控制在極小的范圍內，有效縮短后續(xù)熱處理等工藝的時間；可實現(xiàn)大型鑄錠的工程化制備。

淺熔池真空熔煉提純多晶硅的設備 730     

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本實用新型屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種淺熔池真空熔煉提純多晶硅的設備,設備由爐蓋及真空爐壁構成真空設備,真空設備的內腔即為真空室,真空室底部安裝有拉錠機構,拉錠機構上安裝熔煉坩堝,熔煉坩堝外安裝有加熱裝置,真空室頂部外壁上安裝有升降電動裝置,升降電動裝置驅動連接升降拉桿上端,升降拉桿下端穿過真空爐壁連接到真空室內的懸掛夾緊裝置之上,懸掛夾緊裝置位于熔煉坩堝上方。本實用新型設備結構緊湊,構思獨特,綜合高溫、高真空大面積淺熔池熔煉和定向凝固的技術去除多晶硅中的雜質磷和金屬。提高了生產效率,去除效果良好,集成了除磷和除金屬的雙重效果,適合大規(guī)模工業(yè)化生產。

新型降低電子束熔煉技術能耗的裝置與方法 942     

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本發(fā)明公開了一種新型降低電子束熔煉技術能耗的裝置與方法，屬于冶金領域。所述裝置包括水冷熔煉坩堝，所述水冷熔煉坩堝內壁底部由上到下依次設有5～40mm的碳化硅襯底，0～30mm石墨襯底。由于碳化硅以及石墨的熱導率遠遠小于銅材質的熱導率，所以熱量在通過襯底的時候熱流密度降低了，減少了大量能量的損耗，起到了節(jié)能作用。

電子束熔煉用多功能水冷銅坩堝 1042     

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本實用新型屬于冶金法提純金屬的技術領域。一種電子束熔煉用多功能水冷銅坩堝,其由上盤和底盤固定連接而成,上盤帶有內凹式平板熔腔,平板熔腔外邊緣形成上盤的側板,平板熔腔底板一側內凹開設有弧形熔腔,底盤內部安裝有冷卻水水流通道。本實用新型結構簡單,構思獨特,特別設計的平板熔腔與小弧形熔腔可分別進行少量金屬料的熔煉和大量金屬塊或錠的熔煉,平板熔腔較大的表面積有利于雜質的揮發(fā)去除,具有結構簡單、功能實用,安全性好,成本較低的優(yōu)點。

高純硅襯底下電子束熔煉提純多晶硅的方法及設備 883     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種高純硅襯底下電子束熔煉提純多晶硅的方法，第一步備料及預處理；第二步形成高純硅襯底：然后開啟電子束束流為200-500mA完全熔化高純硅料，緩慢降低束流為零，即在水冷坩堝中形成高純多晶硅錠，調節(jié)電子束束流為150-300mA熔化高純多晶硅錠，2-5min后形成一層高純硅襯底；第三步熔煉提純：高磷硅料連續(xù)緩慢落入熔池中，加大束流至300-700mA，高磷硅料熔化后形成高磷硅液，雜質磷得到去除后從導流口流入坩堝之中，得到低磷硅液，凝固后得到低磷的多晶硅錠。本發(fā)明方法提純效果好，工藝簡單，節(jié)約能源，降低污染，適合批量生產，設備結構簡單，構思獨特，操作簡單，成本低，可實現(xiàn)連續(xù)熔煉。

電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的設備 860     

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本實用新型屬于用物理冶金技術提純多晶硅領域。一種電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的設備,設備由真空蓋及真空爐壁構成真空設備,真空設備的內腔即為真空室;真空室底部固定安裝熔煉支撐底座,熔煉支撐底座上安裝有套環(huán),熔煉支撐底座內安裝有水冷升降托盤,周圍套環(huán)一側開有導流口,導流口下方安裝有拉錠機構,在真空室的上部安裝電子槍,電子槍束流對準水冷升降托盤上方。本實用新型設備結構簡單,直接使用大塊硅料作為原料以及周圍的套環(huán)形成淺熔池,綜合電子束淺熔池熔煉和定向凝固去除硅中的雜質磷和金屬。減少了能量的損失,提高了生產效率,去除效果良好,集成了除磷和除金屬的雙重效果,適合大規(guī)模工業(yè)化生產。

真空感應熔煉-電子束精煉一體化制備高純鎳基高溫合金的方法 911     

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本發(fā)明提供一種真空感應熔煉?電子束精煉一體化制備高純鎳基高溫合金的方法。本發(fā)明方法，包括如下步驟：S1、原材料的預處理；S2、裝爐；S3、真空感應熔煉；S4、電子束精煉，得到精煉后的合金。本發(fā)明通過耦合真空感應熔煉和電子束精煉，采用真空感應方法熔煉高溫合金母合金，再使用電子束精煉進一步提純高溫合金，降低偏析程度，充分利用感應熔煉和電子束精煉的優(yōu)勢提高高溫合金鑄錠的冶金質量，最終實現(xiàn)合金的高純凈制備。

定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的設備 947     

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本實用新型屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的設備，設備由爐門及真空爐壁構成真空設備，真空設備的內腔即為真空室，真空室內安裝熔煉裝置和熔化裝置，熔煉裝置采用熔煉坩鍋安裝在拉錠機構上，熔煉坩鍋外安裝有加熱裝置；熔化裝置采用小坩鍋外安裝加熱裝置，小坩鍋溢流口連通熔煉坩鍋。本實用新型設備結構緊湊，構思獨特，熔煉不采用混合料一起熔化，而是將熔化的硅液熔入已熔化的造渣劑之中，高溫液態(tài)直接接觸，溫度高，接觸面積大，反應速率快，可快速去除多晶硅中的雜質硼，此后的定向凝固去除金屬雜質，提高了生產效率，去除效果良好，集成了除硼和除金屬的雙重效果，適合大規(guī)模工業(yè)化生產。

電子束過熱熔煉去除多晶硅中金屬雜質的方法和裝置 978     

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本發(fā)明公開了一種電子束過熱熔煉去除多晶硅中金屬雜質的方法和裝置，屬于冶金領域。所述裝置包括水冷熔煉坩堝，所述水冷銅坩堝采用傾斜式側壁設計，所述水冷銅坩堝內側壁與水冷銅坩堝底夾角為105～120°，所述水冷銅坩堝內設有石墨襯套，所述石墨襯套外表面與水冷銅坩堝內表面貼合，緊配合設計，石墨襯套的底部與水冷銅坩堝底部水平，所述石墨襯套內表面?zhèn)缺谂c石墨襯套底夾角為95～100°。在本發(fā)明裝置中進行過熱熔煉去除金屬雜質，可減少后續(xù)定向凝固以及鑄錠的次數，減少提純工藝，降低生產成本；多晶硅提純電子束過熱熔煉可降低后期定向凝固次數1次以上；多晶硅提純電子束過熱熔煉可降低多晶硅中金屬雜質30％以上。

電子束熔煉用坩堝的輻射攔截裝置 1097     

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本發(fā)明屬于冶金熔煉技術領域，特別涉及一種電子束熔煉用的輻射攔截專用裝置。裝置中輻射攔截罩位于熔煉坩堝上方，且通過滑動懸掛桿活動安裝于爐壁的頂部，輻射攔截罩與滑動懸掛桿之間通過懸掛鉸接扣活動連接，輻射攔截罩為球面形狀，其凹面朝下，凹面聚焦點位于熔煉坩堝中心，其上還開有一個圓弧形缺口。本發(fā)明設備具有結構簡單，功能實用，制作方便的優(yōu)點，輻射攔截罩可將硅熔體的熱輻射、被硅熔體表面反射的電子束束流攔截回來，重新作用于硅熔體表面，大大提高了電子束能量利用率，提高幅度達20~50%。

電子束熔煉均質化高純化制備Ni-Cr-Co-Fe-Mn高熵合金的方法 1036     

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本發(fā)明公開了一種電子束熔煉均質化高純化制備Ni?Cr?Co?Fe?Mn高熵合金的方法，具有如下步驟：稱取Ni?Cr?Co?Fe?Mn高熵合金的各原料：Ni、Cr、Co、Fe和Mn；對稱取得到的各原料進行清洗，備用；將清洗干凈后的各原料置于電子束熔煉爐的水冷銅坩堝中；對電子束熔煉爐進行真空預抽，之后，對電子束熔煉爐進行抽高真空，達到高真空標準；對水冷銅坩堝中的原料進行電子束熔煉，之后，瞬時降束，快速凝固，得到冷卻至室溫的樣品；對冷卻至室溫的樣品在水冷銅坩堝中進行翻面重熔，之后，瞬時降束，快速凝固，得到Ni?Cr?Co?Fe?Mn高熵合金。本發(fā)明可以高效地制備得到純度高，成分均勻的Ni?Cr?Co?Fe?Mn高熵合金，且鑄錠無縮孔，有效控制了鑄錠冶金質量。

真空感應熔煉-澆鑄-電子束精煉工藝制備高純鎳基高溫合金的方法 705     

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本發(fā)明提供一種真空感應熔煉?澆鑄?電子束精煉工藝制備高純鎳基高溫合金的方法。本發(fā)明方法，包括如下步驟：S1、原材料的預處理；S2、裝爐；S3、真空感應熔煉；S4、電子束精煉，得到精煉后的合金。本發(fā)明采用真空感應熔煉方法制備高溫合金母合金，再使用電子束精煉進一步提純高溫合金，降低偏析程度，充分利用感應熔煉和電子束精煉的優(yōu)勢提高高溫合金鑄錠的冶金質量，最終實現(xiàn)合金的高純凈制備。

電子束熔煉制備鎢電極材料的方法 826     

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本發(fā)明屬于冶金熔煉技術領域，特別涉及一種熔煉制備鎢電極材料的方法。該方法首先采用熱壓成型方式對鎢粉進行處理得到鎢塊；然后采用電子束真空高溫熔煉鎢塊，凝固冷卻后得到鎢錠；最后將鎢錠在真空下進行熱處理，得到鎢電極材料。本發(fā)明的顯著效果是利用電子束提供極高密度的能量熔化并熔煉鎢材料，電子束真空熔煉后得到的鎢電極材料致密度較高，通過分析顯微硬度的變化，可判定經電子束熔煉加工的鎢電極材料其硬度較大，而經過熱處理改善了鎢材料的綜合性能，降低了顯微硬度，提高了塑性，改善了切削加工性能和壓力加工性能，細化了晶粒，調整了組織，改善了綜合機械性能，滿足了鎢電極材料的使用要求。

電子束熔煉制備鎳基高溫合金的方法 813     

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本發(fā)明屬于冶金提純技術領域，特別涉及一種電子束熔煉制備鎳基高溫合金的方法。該方法中取Inconel740合金中所含有的各元素的高純原料，將各元素的高純原料分別拋光清洗后烘干，然后將烘干后的高純原料按照Inconel740合金成分進行配比，最后將配比的高純原料置于電子束熔煉爐中，加熱至熔化并熔煉，熔煉完成后關閉電子束束流，熔體冷卻后得到合金錠，將合金錠頂部的氧化膜去除，即可得到Inconel740鎳基高溫合金。本發(fā)明電子束熔煉制備鎳基高溫合金的方法利用的是電子束在真空熔煉是表現(xiàn)出的高真空、高能量密度等特點，同時通過結合元素在真空條件下的揮發(fā)規(guī)律，很好地控制了成品中各合金成分，在保證了所制備高溫合金純度的同時，也大大提高了生產效率。

降低電子束熔煉多晶硅能耗的裝置與方法 826     

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本發(fā)明公開了一種降低電子束熔煉多晶硅能耗的裝置和方法，屬于冶金領域，裝置包括水冷熔煉坩堝，所述水冷熔煉坩堝內壁底部設有10～50mm石墨襯底，所述石墨襯底上表面有SiC膜層；在熔煉坩堝與硅熔體之間增加石墨襯底，由于石墨材質的熱導率遠遠小于銅材質的熱導率，所以在熔煉過程中會減少熱量被水冷熔煉坩堝大量帶走而帶來的熱量損失，從而達到節(jié)能的目的；加入石墨襯底后，若保持電子槍功率不變，可使熔煉時間縮短1/5～1/2；加入石墨襯底后，若保持熔煉時間不變，可使熔煉功率降低1/4～1/2；形成的SiC膜層可多次使用。

金剛線切割硅粉的連續(xù)熔煉設備 857     

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本實用新型涉及冶金熔煉技術，具體涉及硅粉廢料的回收熔煉設備。提出提出了一種金剛線切割硅粉的連續(xù)熔煉設備，包括熔煉爐、電極及供電控制系統(tǒng)，熔煉設備采用直流電弧熔煉方式，通過中空電極通氬氣的方法來提高熔煉效率和減少硅粉氧化，采用底部感應連續(xù)出料系統(tǒng)，出料料道部分設計有感應加熱線圈，可以隨時對料道進行加熱，實現(xiàn)連續(xù)放料功能。本實用新型具有結構合理、提純效果好、熔煉效率高等優(yōu)點。

電子束熔煉高純化制備Fe-W中間合金的方法 698     

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本發(fā)明公開了一種電子束熔煉高純化制備Fe?W中間合金的方法，具有如下步驟：對水冷銅熔煉坩堝中的原料進行電子束熔煉，得到熔融合金；將此時水冷銅熔煉坩堝中部分熔融合金倒入水冷銅凝固坩堝中，待此時倒入水冷銅凝固坩堝中的熔融合金的量能夠滿足其凝固后的厚度要求時，減小束流功率使水冷銅熔煉坩堝中的熔融合金凝固，并保持紅熱狀態(tài)，以不流動為準，同時，水冷銅凝固坩堝中的熔融合金快速凝固；加大束流功率，使水冷銅熔煉坩堝中的紅熱狀態(tài)的合金完全熔化；重復上述步驟直至水冷銅熔煉坩堝中熔融合金耗盡，得到位于水冷銅凝固坩堝中的Fe?W中間合金。本發(fā)明可大幅度提高Fe?W中間合金鑄錠的冶金質量，同時降低了合金中雜質元素C、P的含量。

電子束及渣濾熔煉提純多晶硅的設備 1082     

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本實用新型屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束及渣濾熔煉提純多晶硅的設備,設備由爐門及真空爐壁構成真空設備,真空設備的內腔即為真空室;真空室底部固定安裝拉錠機構,拉錠機構上安裝熔煉坩鍋,熔煉坩鍋外套裝加熱裝置,真空室底部還安裝有水冷支撐桿,水冷銅坩堝安裝于水冷支撐桿之上,加料裝置固定安裝于水冷銅坩堝上方真空爐壁頂部內側,水冷銅坩堝通過導流裝置連通熔煉坩堝,電子槍安裝于真空爐壁頂部,放氣閥安裝于真空爐壁之上。本實用新型結構簡單,構思獨特,一臺設備綜合利用電子束熔煉除磷、渣濾熔煉除硼及定向凝固除金屬技術去除多晶硅中的磷、硼和金屬雜質,結構緊湊,設備集成度高,提純效果好,生產效率高。

金剛線切割硅粉的連續(xù)熔煉方法及設備 1045     

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本發(fā)明涉及冶金熔煉技術，具體涉及硅粉廢料的回收熔煉方法及設備。提出了一種金剛線切割硅粉的連續(xù)熔煉方法，采用直流電弧熔煉技術，通過通入氬氣提高主反應區(qū)的溫度，有利于二氧化硅與還原劑充分反應，且能降低填料過程中硅粉的氧化，通過底部感應出料的方式，進一步提高了熔煉過程的效率，實現(xiàn)了連續(xù)出料。本發(fā)明還提出了一種金剛線切割硅粉的連續(xù)熔煉設備，包括熔煉爐、電極及供電控制系統(tǒng)，具有結構合理、提純效果好、熔煉效率高等優(yōu)點。

電子束梯度熔煉提純多晶硅的方法 1228     

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本發(fā)明一種電子束梯度熔煉提純多晶硅的方法屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,涉及一種利用電子束熔煉技術去除多晶硅中磷和金屬雜質的方法。該方法采用改變電子束束流大小,產生能量大小不同分布,去除揮發(fā)性雜質磷的同時實現(xiàn)定向凝固效果。首先取磷和金屬雜質含量高的硅料洗凈、烘干后置于電子束熔煉爐中,然后以高束流電子束完全熔化硅料;此后逐漸降低電子束的束流,在小束流下保溫;關閉束流后冷卻,最后取出硅錠,切去硅錠的頂部得到磷和金屬雜質含量較低的硅錠。本發(fā)明去除磷和金屬雜質效果好,采用電子束除磷和定向凝固去除金屬的雙重作用,提高提純效率,減少工藝環(huán)節(jié),技術穩(wěn)定,周期短,節(jié)約能源,成本低。

電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的方法及設備 695     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅領域。一種電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的方法,先將需提純的大塊高磷、高金屬多晶硅錠置于水冷升降托盤之上,后通過電子束熔化硅錠的頂部,熔化的硅熔液在由硅錠頂部、水冷銅套以及石墨套環(huán)形成的空間內形成淺熔池,熔煉一定時間后,去除雜質磷,此后升高水冷升降托盤,低磷硅熔液液面升高后通過導流口流入石英坩堝中,在保溫作用下向下拉錠,進行定向凝固生長,金屬雜質向硅錠頂部富集,凝固后切除硅錠頂部,去除金屬雜質。本發(fā)明綜合電子束淺熔池熔煉和定向凝固去除硅中的雜質磷和金屬。多晶硅的純度達到太陽能級硅的使用要求,節(jié)約能源,工藝簡單,生產效率高,適合批量生產。

淺熔池真空熔煉提純多晶硅的方法及設備 779     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種淺熔池真空熔煉提純多晶硅的方法,在真空度為0.001Pa以下的高真空條件下,先在熔煉坩堝中通過感應加熱1430-1460℃熔化高純多晶硅料,形成高純硅熔液,并使其保持液態(tài),然后升溫使硅熔液溫度達到1500-1600℃;高磷、高金屬硅棒連續(xù)緩慢的加入硅熔液之中,雜質磷在淺層熔池中不斷蒸發(fā)而得到去除,待高磷、高金屬硅棒完全熔入熔池后,感應加熱使熔煉坩堝中液態(tài)在1450-1500℃溫度下保持一段時間,進行定向凝固,切去硅錠頂部金屬雜質含量較高的多晶硅即可。本發(fā)明綜合高溫、高真空大面積淺熔池熔煉和定向凝固的技術,其提純效果好,操作簡單,節(jié)約能源,成本低,生產效率高,適合批量生產。

真空感應熔煉去除硅粉中磷及金屬雜質的方法及設備 720     

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本發(fā)明屬于冶金法提純多晶硅領域。一種真空感應熔煉去除硅粉中磷及金屬雜質的方法,首先,在高真空狀態(tài)下,利用感應加熱方式熔煉硅粉,去除多晶硅中的磷雜質,然后進行拉錠,利用定向凝固技術將硅粉中的金屬雜質去除。本發(fā)明方法簡單,同時應用真空感應熔煉和定向凝固技術來去除多晶硅中的磷及金屬雜質,實現(xiàn)了硅粉的熔煉,除雜效果良好,去除效率高,有效地利用了感應線圈加熱溫度高的特點,方法簡單易行,集成了除磷和除金屬的雙重效果,產量大,適合大規(guī)模生產工業(yè)生產,提純效果穩(wěn)定。

連續(xù)熔煉去除多晶硅中磷和硼的方法及裝置 938     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術將多晶硅中的雜質磷和硼去除的方法。該方法使用兩把電子槍發(fā)射電子束分別對多晶硅進行熔煉,同時采用雙重工藝去除多晶硅中的磷和硼,首先去除多晶硅中雜質磷,將低磷的多晶硅進一步熔煉蒸發(fā)除硼,收集蒸發(fā)到沉積板上的低磷低硼的多晶硅的方法。所采用的裝置由真空蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶的內腔即為真空室,真空室由左右兩個腔組成,中間由隔離板分割。本發(fā)明有效提高了多晶硅的純度,達到了太陽能級硅的使用要求,其提純效果好,技術穩(wěn)定,效率高。

多晶硅熔煉的復合式加熱方法及裝置 793     

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本發(fā)明一種多晶硅熔煉的復合式加熱方法及裝置屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用感應線圈和石墨加熱器復合加熱的方式熔煉多晶硅的方法及裝置。本方法同時采用感應加熱和輻射加熱兩種方式對加熱區(qū)進行復合式加熱,使硅料熔化并進行熔煉,通過拉錠裝置的運動使熔體脫離加熱區(qū),實現(xiàn)定向凝固。該裝置由真空蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶的內腔即為真空室,真空室內裝有進行感應加熱的感應線圈和進行輻射加熱的石墨加熱器。本發(fā)明有效地利用了感應加熱的高效性和輻射加熱的穩(wěn)定性,保證了熔煉過程的穩(wěn)定,減小了能耗,提高了加熱效率,且該方法簡單易行,適合大規(guī)模工業(yè)生產。

電子束分次熔煉提純多晶硅的方法 939     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束分次熔煉提純多晶硅的方法,首先備料:將洗凈烘干后的硅料置于電子束熔煉爐中;再預處理:對坩鍋水冷、電子槍預熱;最后提純:采用以200-300mA的小束流電子束熔化并熔煉一段時間,然后降低束流為零,待硅錠完全變暗,硅蒸氣回凝入熔池后,再次以200-300mA的小束流熔煉多晶硅一段時間后停止束流,重復小束流熔煉和停止束流的操作多次,最后冷卻凝固即可得到磷含量很低的多晶硅錠。本發(fā)明的顯著效果是采用了電子束分次熔煉的技術,一方面降低硅的蒸發(fā)損失量,此方法提純效果好,技術穩(wěn)定,工藝簡單,節(jié)能降耗,周期短,生產效率高。

電子束高效、連續(xù)熔煉提純多晶硅的方法及設備 716     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束高效、連續(xù)熔煉提純多晶硅的方法,先通過電子束在坩堝中形成穩(wěn)定的高純硅熔池,然后將需提純硅粉通過進料真空閘室連續(xù)落入熔池,快速熔化后熔煉,從而去除硅粉中的雜質磷,得到的低磷硅液周期性地從坩堝中溢出,在水冷傾斜銅槽中形成硅塊,并落入收集筒中冷卻,最后通過出料真空閘室連續(xù)出料,完成連續(xù)提純多晶硅的工藝過程。本發(fā)明采取連續(xù)加料和連續(xù)出料的熔煉方式,采用電子束熔煉多晶硅可去除飽和蒸汽壓高的揮發(fā)性雜質磷,達到高效、連續(xù)熔煉除雜的目的,純度達到了太陽能級硅的使用要求,技術穩(wěn)定,能耗小,成本低,生產效率高,適合大規(guī)模工業(yè)化生產。