本發(fā)明公開(kāi)了一種電子束過(guò)熱熔煉去除
多晶硅中金屬雜質(zhì)的方法和裝置,屬于冶金領(lǐng)域。所述裝置包括水冷熔煉坩堝,所述水冷銅坩堝采用傾斜式側(cè)壁設(shè)計(jì),所述水冷銅坩堝內(nèi)側(cè)壁與水冷銅坩堝底夾角為105~120°,所述水冷銅坩堝內(nèi)設(shè)有石墨襯套,所述石墨襯套外表面與水冷銅坩堝內(nèi)表面貼合,緊配合設(shè)計(jì),石墨襯套的底部與水冷銅坩堝底部水平,所述石墨襯套內(nèi)表面?zhèn)缺谂c石墨襯套底夾角為95~100°。在本發(fā)明裝置中進(jìn)行過(guò)熱熔煉去除金屬雜質(zhì),可減少后續(xù)定向凝固以及鑄錠的次數(shù),減少提純工藝,降低生產(chǎn)成本;多晶硅提純電子束過(guò)熱熔煉可降低后期定向凝固次數(shù)1次以上;多晶硅提純電子束過(guò)熱熔煉可降低多晶硅中金屬雜質(zhì)30%以上。
聲明:
“電子束過(guò)熱熔煉去除多晶硅中金屬雜質(zhì)的方法和裝置” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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