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電子束分次熔煉提純多晶硅的方法

940 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 14:32:43

本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束分次熔煉提純多晶硅的方法,首先備料:將洗凈烘干后的硅料置于電子束熔煉爐中;再預處理:對坩鍋水冷、電子槍預熱;最后提純:采用以200-300mA的小束流電子束熔化并熔煉一段時間,然后降低束流為零,待硅錠完全變暗,硅蒸氣回凝入熔池后,再次以200-300mA的小束流熔煉多晶硅一段時間后停止束流,重復小束流熔煉和停止束流的操作多次,最后冷卻凝固即可得到磷含量很低的多晶硅錠。本發(fā)明的顯著效果是采用了電子束分次熔煉的技術,一方面降低硅的蒸發(fā)損失量,此方法提純效果好,技術穩(wěn)定,工藝簡單,節(jié)能降耗,周期短,生產(chǎn)效率高。

聲明：

“電子束分次熔煉提純多晶硅的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)