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降低電子束熔煉多晶硅能耗的裝置與方法

828   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:32:44
本發(fā)明公開(kāi)了一種降低電子束熔煉多晶硅能耗的裝置和方法,屬于冶金領(lǐng)域,裝置包括水冷熔煉坩堝,所述水冷熔煉坩堝內(nèi)壁底部設(shè)有10~50mm石墨襯底,所述石墨襯底上表面有SiC膜層;在熔煉坩堝與硅熔體之間增加石墨襯底,由于石墨材質(zhì)的熱導(dǎo)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于銅材質(zhì)的熱導(dǎo)率,所以在熔煉過(guò)程中會(huì)減少熱量被水冷熔煉坩堝大量帶走而帶來(lái)的熱量損失,從而達(dá)到節(jié)能的目的;加入石墨襯底后,若保持電子槍功率不變,可使熔煉時(shí)間縮短1/5~1/2;加入石墨襯底后,若保持熔煉時(shí)間不變,可使熔煉功率降低1/4~1/2;形成的SiC膜層可多次使用。
聲明:
“降低電子束熔煉多晶硅能耗的裝置與方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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