N-羥基丁二酰亞胺作為發(fā)光共反應(yīng)劑的應(yīng)用 833     

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本發(fā)明提供一種N-羥基丁二酰亞胺作為發(fā)光共反應(yīng)劑的應(yīng)用，屬于化學(xué)發(fā)光分析方法技術(shù)領(lǐng)域。該N-羥基丁二酰亞胺作為發(fā)光共反應(yīng)劑可用于檢測(cè)Co2+, 魯米諾和NHS。本發(fā)明的檢測(cè)方法靈敏度高、操作簡(jiǎn)單、分析速度快。本發(fā)明的NHS作為一種新的高效的魯米諾化學(xué)發(fā)光共反應(yīng)劑，能夠產(chǎn)生比魯米諾-H2O2化學(xué)發(fā)光體系強(qiáng)約22倍的化學(xué)發(fā)光信號(hào)，且該魯米諾-NHS化學(xué)發(fā)光體系在Co2+存在下能夠選擇性地增強(qiáng)發(fā)光，因此可被應(yīng)用于高效選擇性地檢測(cè)Co2+、魯米諾和NHS。

氧化鋅/氧化鎵核殼微米線及其制備方法、日盲紫外探測(cè)器 925     

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本發(fā)明提供了一種氧化鋅/氧化鎵核殼微米線的制備方法，包括：S1)將氧化鋅、氧化鎵與碳混合研磨，得到混合粉末；S2)以所述混合粉末為原料，在設(shè)置有氧化鋅籽晶層的襯底上進(jìn)行第一次化學(xué)氣相沉積，生長(zhǎng)氧化鋅微米線；然后繼續(xù)升溫，進(jìn)行第二次化學(xué)氣相沉積在氧化鋅微米線上生長(zhǎng)氧化鎵，得到氧化鋅/氧化鎵核殼微米線。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明一次性放入反應(yīng)原料，依靠材料生長(zhǎng)溫度的不同，首先制備氧化鋅核層，然后外延生長(zhǎng)一層β?氧化鎵單晶薄膜作為殼層，避免了表面態(tài)和缺陷的產(chǎn)生，其尺寸可實(shí)現(xiàn)肉眼下的手工操作，方便了電極的引入和器件的制備；同時(shí)由于核層與殼層分別實(shí)現(xiàn)不同的分工與功能，更易實(shí)現(xiàn)較高的響應(yīng)度與較快的響應(yīng)速度。

新型電致變色材料的測(cè)試裝置 820     

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本實(shí)用新型涉及功能材料技術(shù)領(lǐng)域和嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域，尤其是一種新型電致變色材料的測(cè)試裝置，包括順次連接的人機(jī)對(duì)話模塊、STM32控制模塊、程控電壓源模塊、開(kāi)關(guān)選擇電路模塊和新型點(diǎn)陣顯示屏模塊，其中人機(jī)對(duì)話模塊與控制模塊之間為雙向連接，還包括FPGA控制模塊，F(xiàn)PGA控制模塊與STM32控制模塊雙向連接，與開(kāi)關(guān)選擇電路模塊單向連接。本新型旨在對(duì)新型材料的化學(xué)性質(zhì)進(jìn)行測(cè)試，為以后的產(chǎn)業(yè)化及廣泛使用奠定基礎(chǔ)。

昆蟲(chóng)產(chǎn)卵雙選生測(cè)裝置 784     

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本實(shí)用新型公開(kāi)了一種昆蟲(chóng)產(chǎn)卵雙選生測(cè)裝置，該裝置包括產(chǎn)卵室和揮發(fā)物氣味源裝置；所述產(chǎn)卵室的上方配有盒蓋；所述的盒蓋上設(shè)置兩個(gè)圓孔；所述的揮發(fā)物氣味源裝置采用兩個(gè)玻璃指形管，所述的兩個(gè)玻璃指形管中的一個(gè)內(nèi)部設(shè)置對(duì)照氣味源，另一個(gè)內(nèi)部設(shè)置測(cè)試氣味源；所述的玻璃指形管內(nèi)部設(shè)置兩個(gè)玻璃突出，所述的玻璃突出上支撐著氣味源；兩個(gè)玻璃指形管分別與盒蓋上的兩個(gè)圓孔通過(guò)封口膜連接并處于封閉狀態(tài)；所述產(chǎn)卵室的四周、底和盒蓋的內(nèi)側(cè)鋪設(shè)有產(chǎn)卵紙；在盒蓋上與玻璃指形管相接觸的產(chǎn)卵紙部位上設(shè)置有多個(gè)擴(kuò)散孔，揮發(fā)性化學(xué)氣味能夠通過(guò)擴(kuò)散孔擴(kuò)散到產(chǎn)卵室內(nèi)。

氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線及其制備方法以及一種光探測(cè)器 1006     

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本發(fā)明提供了一種氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線，包括氧化鋅微米線芯材以及復(fù)合于所述氧化氧化鋅微米線芯材表面的銫鉛溴殼層。本發(fā)明以CsPbBr₃材料為基礎(chǔ)，用結(jié)晶質(zhì)量好、光電導(dǎo)增益高，并比納米線更易操作的ZnO單晶微米線作為核層，通過(guò)化學(xué)氣相沉積方法，來(lái)制備ZnO/CsPbBr₃核殼微米線，并在此基礎(chǔ)上構(gòu)筑ZnO/CsPbBr₃結(jié)型自驅(qū)動(dòng)光探測(cè)器。CVD法能促進(jìn)鈣鈦礦材料實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定及規(guī)模化的生產(chǎn)及應(yīng)用。將ZnO材料作為電子傳輸層來(lái)構(gòu)筑ZnO/CsPbX₃基核殼微米線自驅(qū)動(dòng)光探測(cè)器，可以得到比有機(jī)傳輸材料更好的穩(wěn)定性與更高的耐久度，是實(shí)現(xiàn)全天候、高性能、長(zhǎng)壽命傳感器的有效途徑。

碳硫自動(dòng)測(cè)定儀 827     

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本實(shí)用新型是根據(jù)電化學(xué)中選擇性離子敏感膜電位的原理研制的一種碳硫自動(dòng)測(cè)定儀,設(shè)計(jì)了測(cè)試碳和硫的兩個(gè)吸收器。每個(gè)吸收器中都裝有一個(gè)PH電極和一個(gè)甘汞電極。選用0.01M硫酸鉀與0.03%過(guò)氧化氫溶液作硫的吸收液,0.025M氯化鈣與0.001～0.01M氫氧化鉀溶液作碳的吸收液,通過(guò)自控回路在50秒內(nèi)即可分別測(cè)出硫和碳的含量。

基于發(fā)動(dòng)機(jī)萬(wàn)有特性的整車PEMS排放的仿真預(yù)測(cè)方法 940     

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本發(fā)明涉及一種基于發(fā)動(dòng)機(jī)萬(wàn)有特性的整車PEMS排放的仿真預(yù)測(cè)方法，該方法步驟如下：將CRUISE整車模型、后處理器BOOST化學(xué)反應(yīng)模型、尿素噴射控制模型、發(fā)動(dòng)機(jī)臺(tái)架和整車后處理器溫度差異模型進(jìn)行耦合控制；構(gòu)建PEMS路譜；導(dǎo)出發(fā)動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)速扭矩信息和實(shí)際環(huán)境信息；插值處理得到PEMS路譜發(fā)動(dòng)機(jī)原始排放廢氣組分、廢氣流量和廢氣溫度初始值；傳遞函數(shù)處理得到發(fā)動(dòng)機(jī)原始排放廢氣組分和廢氣流量的優(yōu)化值；處理器溫度修正；計(jì)算出SCR催化器出口廢氣組分、廢氣流量數(shù)據(jù)及SCR催化器氨存儲(chǔ)量、尿素噴射量。本發(fā)明能夠降低發(fā)動(dòng)機(jī)排放開(kāi)發(fā)試驗(yàn)成本和縮短項(xiàng)目開(kāi)發(fā)周期，提高了仿真預(yù)測(cè)速度和精度。

探測(cè)能夠電分解的液體存在及其濃度的方法與裝置 1084     

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本發(fā)明公開(kāi)了探測(cè)能夠電分解的液體存在及其濃度的方法與裝置:利用至少兩個(gè)電極并在電極之間施加瞬時(shí)的間斷的電位差,與供電同步或以某個(gè)時(shí)間差來(lái)測(cè)量該電極之間的電磁性能,并由此來(lái)判斷液體是否在電極之間存在,如果存在,計(jì)算出該液體的某些物理化學(xué)性質(zhì),比如濃度等。采用這個(gè)辦法可以使得液體傳感器的成本大為下降,體積大為縮小,可靠性也大為增加。

大氣激光掩星信號(hào)生成與探測(cè)設(shè)備 911     

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大氣激光掩星信號(hào)生成與探測(cè)設(shè)備，屬于大氣遙感測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域，為解決現(xiàn)有掩星信號(hào)生成系統(tǒng)無(wú)法測(cè)量特征氣體成分和濃度問(wèn)題，包括頻率與功率穩(wěn)定電路、量子阱激光器陣列、光束耦合器、光纖隔離器、功率放大器、光學(xué)發(fā)射天線、第一濾光片、第一準(zhǔn)直鏡、第一二維振鏡、第二濾光片、第一耦合透鏡、第一信標(biāo)光激光器、第二耦合透鏡、第一成像相機(jī)、光學(xué)接收天線、第三濾光片、第二準(zhǔn)直鏡、第二二維振鏡、第四濾光片、第三耦合透鏡、第二信標(biāo)光激光器、第四耦合透鏡、第二成像相機(jī)、第三準(zhǔn)直鏡、柱面鏡、衍射光柵、成像反射鏡、成像CCD、信號(hào)處理電路和數(shù)據(jù)反演模塊；該設(shè)備在大氣化學(xué)、全球氣候變化、軍事戰(zhàn)場(chǎng)飛行器監(jiān)視等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

ZnMgO紫外探測(cè)器及其制備方法 784     

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本發(fā)明提供一種ZnMgO紫外探測(cè)器及其制備方法，其中的方法包括：S1、以有機(jī)鋅化合物作為鋅源，以有機(jī)鎂化合物作為鎂源，以高純氧氣為氧源，利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法在襯底的表面生長(zhǎng)ZnMgO薄膜；S2、在ZnMgO薄膜上使用負(fù)膠光刻形成叉指電極掩膜，在叉指電極掩膜濺射金屬后將叉指電極掩膜去除，形成叉指電極；S3、在叉指電極上按壓In粒，得到MSM結(jié)構(gòu)的ZnMgO紫外探測(cè)器。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)增加氧氣流量、增加氧分壓、減少氧缺陷的方式，使得制備的ZnMgO薄膜具有結(jié)晶質(zhì)量高、不出現(xiàn)分相、吸收截止邊陡峭等特點(diǎn)，混相結(jié)構(gòu)的ZnMgO薄膜2能夠同時(shí)滿足高響應(yīng)度和低暗電流，從而使ZnMgO紫外光電探測(cè)器具有更低的暗電流和更高的光響應(yīng)速度。

銅互連可見(jiàn)-紅外探測(cè)器的制備方法 725     

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本發(fā)明提供一種銅互連可見(jiàn)?紅外探測(cè)器的制備方法，包括：S1、分別在讀出電路和感光層上制備銅柱；S2、分別在讀出電路上的銅柱間的間隙內(nèi)和感光層上的銅柱間的間隙內(nèi)填充二氧化硅或氮化硅形成復(fù)合層；S3、采用光學(xué)對(duì)準(zhǔn)方法將讀出電路和感光層上的銅柱對(duì)準(zhǔn)；S4、采用低溫退火方法使讀出電路上的銅柱與感光層上的銅柱鍵合；S5、對(duì)鍵合后的感光層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，以將感光層的襯底去掉，獲得銅互連可見(jiàn)光?短波紅外探測(cè)器。利用上述本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)可見(jiàn)光?紅外光的寬光譜探測(cè)。

基于GaSb/InSb/InP異質(zhì)PIN結(jié)構(gòu)的光伏型紅外探測(cè)器 1101     

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一種基于GaSb/InSb/InP異質(zhì)PIN結(jié)構(gòu)的光伏型紅外探測(cè)器，屬于紅外探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。該探測(cè)器由下至上依次由背電極、重?fù)诫s的N+型InP襯底、重?fù)诫s的N+型InP電子傳輸層、未摻雜的窄禁帶InSb有源區(qū)、重?fù)诫s的P+型GaSb空穴傳輸層以及柵條形上電極)組成。本發(fā)明采用低壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相外延技術(shù)，在重?fù)诫s的N+型InP襯底制備相應(yīng)結(jié)構(gòu)，并利用磁控濺射技術(shù)制備上電極和背電極，得到的器件具有探測(cè)率高、響應(yīng)速度快、工作溫度高、制備工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在室溫條件下，歸一化探測(cè)率D*為2.4×1010cm?Hz1/2W?1，可應(yīng)用于航天、軍事、工業(yè)、民用等領(lǐng)域。

NixMg1-xO短波長(zhǎng)紫外光探測(cè)材料 815     

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NixMg1-xO短波長(zhǎng)紫外光探測(cè)材料屬于半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域?，F(xiàn)有GaxAl1-xN材料存在的 不足有，首先，制作薄膜所使用的藍(lán)寶石襯底昂貴；其次，需要使用化學(xué)氣相沉積等大型、 復(fù)雜設(shè)備生長(zhǎng)，生長(zhǎng)溫度也較高，造成了能源的浪費(fèi)；第三，禁帶寬度調(diào)節(jié)范圍較小，即 3.4～6.2eV；第四，GaN和AlN晶格失配和離子半徑失配較大，分別為1.8％和15％。本發(fā)明 之短波長(zhǎng)紫外光探測(cè)材料的分子式為NixMg1-xO，0≤X≤1。以石英玻璃為襯底在磁控濺射設(shè)備 中制作NixMg1-xO短波長(zhǎng)紫外光探測(cè)薄膜，所制備的薄膜晶格失配和離子半徑失配很小，分 別為0.7％和5.7％，禁帶寬度為3.6～7.8eV。用來(lái)制作短波長(zhǎng)紫外光探測(cè)器件。

高壓原位阻抗譜測(cè)量的電極及其制備方法和應(yīng)用 1052     

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本發(fā)明的高壓原位阻抗譜測(cè)量的電極及其制備方法和應(yīng)用屬于高壓條件下電學(xué)量原位測(cè)量的技術(shù)領(lǐng)域。電極組成有在金剛石壓砧(2)表面和金屬膜電極(1)上沉積的氧化鋁保護(hù)層(3);金屬膜電極(1)在金剛石壓砧(2)的砧面中心呈圓形,在金剛石壓砧(2)的側(cè)面的金屬膜電極(1)部分粘接銅絲導(dǎo)線(5);金屬墊片(4)作另一個(gè)電極,與金屬膜電極(1)一起構(gòu)成軸對(duì)稱的電極體系。采用磁控濺射方法鍍鉬膜、沉積氧化鋁膜、光刻和化學(xué)腐蝕的方法制作電極。本發(fā)明解決了電極固定以及樣品腔絕緣等問(wèn)題,可以忽略體系的寄生電容和寄生電感對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,使得高壓下用金剛石對(duì)頂砧原位測(cè)量物質(zhì)阻抗譜成為可能。

紅外光電探測(cè)器 1012     

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本實(shí)用新型屬于一種半導(dǎo)體敏感元件。該探測(cè)器用金屬有機(jī)化合物化學(xué)汽相淀積 (mocvd)技術(shù)，在n型襯底上生長(zhǎng)一層與襯底晶格匹 配的P型半導(dǎo)體材料為濾光層，然后在濾光層上再 生長(zhǎng)一層激活層。這種探測(cè)器可廣泛用于測(cè)距、夜視 儀、紅外測(cè)量及科研中的高精度測(cè)量等方面。

pn結(jié)MgxZn1-xO薄膜日盲區(qū)紫外探測(cè)器件 648     

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pn結(jié)MgxZn1－xO薄膜日盲區(qū)紫外探測(cè)器件屬于光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。現(xiàn)有技術(shù)采用MgxZn1－xO薄膜作為光電轉(zhuǎn)換器件，其光譜響應(yīng)度有待提高；而雖然pn結(jié)MgxZn1－xO薄膜因pn結(jié)的雪崩作用而具有很高的轉(zhuǎn)換效率，但只是被用做電光轉(zhuǎn)換器件。本發(fā)明采用pn結(jié)MgxZn1－xO薄膜，底部電極介于襯底與pn結(jié)MgxZn1－xO薄膜之間，偏置電壓電極、信號(hào)電壓電極位于pn結(jié)MgxZn1－xO薄膜上表面且相離，偏置電壓電極與底部電極為pn結(jié)MgxZn1－xO薄膜提供偏置電壓，信號(hào)電壓電極與底部電極將pn結(jié)MgxZn1－xO薄膜產(chǎn)生的信號(hào)電壓輸出。該方案應(yīng)用于200～300nm紫外導(dǎo)彈尾焰探測(cè)、紫外告警、化學(xué)火焰探測(cè)等領(lǐng)域。

在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng) 858     

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本實(shí)用新型公開(kāi)了一種在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，包括層析柱本體，所述層析柱本體的頂部固定連接有加壓泵，所述層析柱本體的表面固定連接有固定套環(huán)，固定套環(huán)右側(cè)的表面從上到下分別固定連接有彈性開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)，層析柱本體的表面連通有測(cè)壓管道，本實(shí)用新型涉及化學(xué)實(shí)驗(yàn)用儀器技術(shù)領(lǐng)域。該在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，工作時(shí)，加壓泵通過(guò)連通管道對(duì)層析柱本體的內(nèi)腔進(jìn)行加壓，內(nèi)部壓強(qiáng)增加時(shí)，氣壓推動(dòng)測(cè)壓管道內(nèi)的弧形鼓片，帶動(dòng)滑動(dòng)桿向上擠壓復(fù)位彈簧滑動(dòng)，滑動(dòng)桿向上升起推動(dòng)調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)動(dòng)，對(duì)調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)的功率進(jìn)行調(diào)節(jié)，可以自動(dòng)對(duì)加壓泵的壓力進(jìn)行調(diào)節(jié)，能有效的提高分離效率，并且當(dāng)停止啟動(dòng)加壓泵時(shí)，在復(fù)位彈簧的帶動(dòng)下滑動(dòng)桿會(huì)自動(dòng)回彈。

實(shí)際工況下電池隔膜力-熱-電耦合原位測(cè)試系統(tǒng) 951     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種實(shí)際工況下電池隔膜力?熱?電耦合原位測(cè)試系統(tǒng)，涉及精密儀器技術(shù)領(lǐng)域，包括溫控箱、環(huán)境模塊、力學(xué)加載模塊和多光譜?聲譜監(jiān)測(cè)模塊。環(huán)境模塊構(gòu)造了電化學(xué)和低溫環(huán)境，力學(xué)加載模塊對(duì)十字形隔膜試樣進(jìn)行雙軸靜?動(dòng)態(tài)耦合加載，多光譜?聲譜監(jiān)測(cè)模塊包括光學(xué)成像模塊、紅外熱成像模塊和聲發(fā)射模塊，用于加載過(guò)程的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。本發(fā)明通過(guò)環(huán)境模塊模擬隔膜實(shí)際工況，力學(xué)加載模塊進(jìn)行加載，多光譜?聲譜監(jiān)測(cè)模塊中光學(xué)成像模塊對(duì)隔膜的顯微結(jié)構(gòu)進(jìn)行動(dòng)態(tài)觀測(cè)；紅外熱成像模塊對(duì)隔膜的溫度分布進(jìn)行識(shí)別；聲發(fā)射模塊實(shí)現(xiàn)隔膜裂紋和破損的監(jiān)測(cè)。本發(fā)明為揭示力?熱?電耦合下電池隔膜的失效機(jī)制及其微觀結(jié)構(gòu)演化行為提供儀器支撐。

自驅(qū)動(dòng)式氧鋅鎂紫外探測(cè)器及其制備方法 908     

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本發(fā)明涉及一種自驅(qū)動(dòng)式氧鋅鎂紫外探測(cè)器及其制備方法，屬于紫外探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，該制備方法包括：采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法在襯底上制備氧鋅鎂薄膜層；在步驟一得到的氧鋅鎂薄膜層上通過(guò)真空熱蒸發(fā)的方法制備出Au電極層；通過(guò)濕法刻蝕所述Au膜層制備出多對(duì)叉指電極,即如圖所示連接有至少一個(gè)第一叉指電極的第一電極和連接有至少一個(gè)第二叉指電極的第二電極；所述第一叉指電極與所述第二叉指電極像張開(kāi)的雙手一樣相互插在一起。本發(fā)明的自驅(qū)動(dòng)式氧鋅鎂紫外探測(cè)器在紫外波段具有很好的光伏特性，可在不需要外加電源的情況工作，極大的節(jié)約了能源,且其0伏響應(yīng)度高，工作時(shí)穩(wěn)定性好，此外，器件制備工藝簡(jiǎn)單，可控性好。

MgZnO納米線陣列紫外光電探測(cè)器 763     

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MgZnO納米線陣列紫外光電探測(cè)器，采用雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積方法制備MgZnO納米線陣列，由此獲得MgZnO納米線陣列紫外光電探測(cè)器，其響應(yīng)度高于現(xiàn)有MgZnO納米線紫外光電探測(cè)器，屬于半導(dǎo)體光電技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明之MgZnO納米線陣列紫外光電探測(cè)器下電極位于硅襯底背面，MgZnO納米線分布在硅襯底正面，上電極位于MgZnO納米線上面，并與MgZnO納米線歐姆接觸，其特征在于，所述MgZnO納米線豎直等高、整齊分布，構(gòu)成MgZnO納米線陣列。本發(fā)明用于環(huán)境污染監(jiān)控、火焰光電探測(cè)、紫外預(yù)警以及通訊等領(lǐng)域。

十二面體形狀甲胺溴化鉛鈣鈦礦單晶[110]晶面的可控生長(zhǎng)方法及其X射線探測(cè)器應(yīng)用 759     

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十二面體形狀甲胺溴化鉛鈣鈦礦單晶[110]晶面的可控生長(zhǎng)方法及其X射線探測(cè)器應(yīng)用，屬于X射線探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用調(diào)整投料原料非化學(xué)計(jì)量比同時(shí)控制溶液條件及生長(zhǎng)溫度的方法，使鈣鈦礦單晶晶面的生長(zhǎng)得以有效調(diào)控，體現(xiàn)單晶的各向異性。所得[110]晶面相比立方體形狀暴露的[100]晶面有更低的缺陷態(tài)密度、更大的電阻率及更好的載流子傳輸特性。本發(fā)明制備的X射線探測(cè)器在120keV硬射線下的靈敏度達(dá)到3928.3μC/Gy_air/cm²，高于[100]晶面X射線探測(cè)器的靈敏度；且在劑量率為8.8μGy_air/s下，相較于醫(yī)療成像用CsI閃爍體，表現(xiàn)出較強(qiáng)的信噪比，為設(shè)計(jì)高性能X射線探測(cè)器提供了依據(jù)。同時(shí)探測(cè)器的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制作容易。

磷酸鹽近紅外發(fā)光測(cè)溫材料及其制備方法 852     

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本發(fā)明提供了一種磷酸鹽近紅外發(fā)光測(cè)溫材料，分子式為：A2(1?x)DxP2O7:xCr3+；其中，A選自Mg、Zn、Ca、Sr和Ba中的一種或多種；D選自Li、Na和K中的一種或多種；0.0005≤x≤0.05。本發(fā)明提供了一種以磷酸鹽為基質(zhì)，Cr3+離子為發(fā)光中心，一價(jià)金屬離子共摻雜的發(fā)光測(cè)溫材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的發(fā)光測(cè)溫材料可以有效被藍(lán)光激發(fā)，光轉(zhuǎn)化效率高，發(fā)光可探測(cè)性好，在300K至400K范圍內(nèi)測(cè)溫精度可達(dá)1.29％/K；同時(shí)，該發(fā)光測(cè)溫材料制備工藝簡(jiǎn)單，原料成本低廉，產(chǎn)品化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、蓬松非常易研磨，無(wú)放射性，不會(huì)對(duì)環(huán)境造成危害。

電池原位測(cè)試系統(tǒng) 906     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種電池原位測(cè)試系統(tǒng)，涉及精密儀器技術(shù)領(lǐng)域，包括充放電模塊、環(huán)境模塊和力學(xué)加載模塊，待測(cè)試電池與充放電模塊電連接，環(huán)境模塊包括溫控箱，溫控箱內(nèi)設(shè)置有待測(cè)試電池、光學(xué)成像模塊、紅外熱成像模塊和超聲掃描成像模塊，力學(xué)加載模塊用于對(duì)待測(cè)試電池進(jìn)行加載。本發(fā)明通過(guò)環(huán)境模塊模擬測(cè)試環(huán)境，光學(xué)成像模塊對(duì)待測(cè)試電池表面微觀變形或損傷進(jìn)行觀測(cè)；紅外熱成像模塊對(duì)待測(cè)試電池的溫度畸點(diǎn)的識(shí)別以及待測(cè)試電池?zé)崾Э氐倪M(jìn)程進(jìn)行觀測(cè)；超聲掃描成像模塊對(duì)待測(cè)試電池的破損、析鋰以及荷電狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)測(cè)。本發(fā)明為揭示力?低溫?電化學(xué)耦合多外場(chǎng)下電池性能衰退機(jī)制和服役壽命變化規(guī)律提供儀器支撐。

發(fā)光測(cè)溫材料及其制備方法 1100     

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本發(fā)明涉及溫敏表面發(fā)光測(cè)溫技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光測(cè)溫材料及其制備方法。本發(fā)明提供了一種發(fā)光測(cè)溫材料，具有式(Ⅰ)所示的通式；K3?xNaxLu1?yBiy(VO4)2式(Ⅰ)；其中，0≤x≤1.0，0.001≤y≤0.1。本發(fā)明的發(fā)光測(cè)溫材料以釩酸鹽為基質(zhì)，Bi離子為發(fā)光中心，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的發(fā)光測(cè)溫材料可以有效被近紫外光激發(fā)，光轉(zhuǎn)化效率高，發(fā)光可探測(cè)性好，在25～100℃內(nèi)最高測(cè)溫靈敏度可達(dá)1.8％/K。同時(shí)，本發(fā)明的發(fā)光測(cè)溫材料制備工藝簡(jiǎn)單，原料成本低廉，產(chǎn)品化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、蓬松非常易研磨，無(wú)放射性，不會(huì)對(duì)環(huán)境造成危害。

基于彩色相機(jī)的高溫溫度場(chǎng)分布測(cè)試裝置和方法 732     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種基于彩色相機(jī)的高溫溫度場(chǎng)分布測(cè)試裝置和方法，包括光學(xué)部分、電學(xué)部分和軟件部分；光學(xué)部分包括衰減濾光片組和光學(xué)鏡頭；電學(xué)部分包括彩色相機(jī)、數(shù)據(jù)線和計(jì)算機(jī)；衰減濾光片組、光學(xué)鏡頭和彩色相機(jī)依次螺紋連接；彩色相機(jī)與計(jì)算機(jī)電連；待測(cè)高溫目標(biāo)發(fā)出光輻射，經(jīng)衰減濾光片組衰減和濾波，彩色相機(jī)上的感光芯片CCD或CMOS，按照R、G、B三基色，將相應(yīng)波段的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，傳輸?shù)接?jì)算機(jī)，經(jīng)軟件部分解析出待測(cè)高溫目標(biāo)的溫度場(chǎng)分布。本發(fā)明的測(cè)試結(jié)果，受待測(cè)目標(biāo)狀態(tài)、表面粗糙程度、表面化學(xué)特性等因素影響小，能夠?qū)崿F(xiàn)高溫溫度場(chǎng)分布的高準(zhǔn)確度測(cè)試，實(shí)時(shí)精確反應(yīng)待測(cè)目標(biāo)的溫度場(chǎng)特性。

無(wú)機(jī)磷測(cè)定試劑盒及其制備方法 723     

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無(wú)機(jī)磷測(cè)定試劑盒及其制備方法，涉及無(wú)機(jī)磷測(cè)定領(lǐng)域，用于測(cè)定人體樣本中無(wú)機(jī)磷的含量，以解決現(xiàn)有無(wú)機(jī)磷測(cè)定試劑盒存在的含有酶原料導(dǎo)致試劑盒易失活的問(wèn)題。本發(fā)明的無(wú)機(jī)磷測(cè)定試劑盒包括：濃度為20～500mmol/L的三羥甲基氨基甲烷緩沖液、濃度為0.1～10mmol/L的鉬酸銨溶液、濃度為10～100mmol/L的氯化鈉溶液、濃度為1.0～10ml/L的表面活性劑、濃度為0.5～4.5mmol/L的磷酸鹽溶液。本發(fā)明特異性較高，不受內(nèi)、外源物質(zhì)的干擾，測(cè)試結(jié)果精確、準(zhǔn)確性好。本發(fā)明采用化學(xué)方法制備的無(wú)機(jī)磷測(cè)定試劑盒穩(wěn)定性好，便于長(zhǎng)期儲(chǔ)存。

石墨烯增強(qiáng)型InGaAs紅外探測(cè)器 867     

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本發(fā)明涉及一種石墨烯增強(qiáng)型InGaAs紅外探測(cè)器，解決現(xiàn)有紅外探測(cè)器探測(cè)范圍窄和較高暗電流的技術(shù)問(wèn)題。該石墨烯增強(qiáng)型InGaAs紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)為：在襯底上依次生長(zhǎng)的緩沖層、擴(kuò)展波長(zhǎng)的InGaAs吸收層、石墨烯蓋層，構(gòu)成pin探測(cè)器結(jié)構(gòu)。本發(fā)明公開(kāi)了在襯底上以兩步法生長(zhǎng)失配緩沖層的方法。采用適合金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積技術(shù)生長(zhǎng)又方便控制并且禁帶寬度大于擴(kuò)展波長(zhǎng)InGaAs材料的InAsP或InAlAs三元系材料，可有效避免失配位錯(cuò)且適合于背面進(jìn)光的透明緩沖層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提出了使用石墨烯作為InGaAs紅外探測(cè)器的蓋層來(lái)擴(kuò)展探測(cè)范圍和降低暗電流的方法，實(shí)現(xiàn)對(duì)探測(cè)器性能的提高，具有廣泛的應(yīng)用前景。

鋅鎵氧紫外探測(cè)器及其制備方法 960     

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本發(fā)明提供了一種ZnGa₂O₄紫外探測(cè)器，包括依次復(fù)合而成的襯底、ZnGa₂O₄薄膜以及金屬叉指電極；所述ZnGa₂O₄薄膜以有機(jī)鋅化合物作為鋅源，有機(jī)鎵化合物作為鎵源，以高純氧氣為氧源，利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法在襯底表面沉積得到。本發(fā)明使用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法制備ZnGa₂O₄薄膜，通過(guò)增加氧氣流量，增加氧分壓，減少氧缺陷，使制備得到的ZnGa₂O₄薄膜層具有結(jié)晶質(zhì)量高，不出現(xiàn)分相，吸收截止邊陡峭等特點(diǎn)，進(jìn)而使包含ZnGa₂O₄薄膜層的紫外探測(cè)器具有較低的暗電流，較高的響應(yīng)度。

ZnMgO紫外探測(cè)器 1045     

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本發(fā)明提供了一種ZnMgO紫外探測(cè)器，包括：ZnMgO薄膜層；所述ZnMgO薄膜層的晶體結(jié)構(gòu)為立方相；所述ZnMgO薄膜層按照以下方法制備：以有機(jī)鋅化合物作為鋅源，有機(jī)鎂化合物作為鎂源，在通入氧氣的金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中生長(zhǎng)ZnMgO薄膜層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明使用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法制備ZnMgO薄膜，其氣流與襯底平行，且生長(zhǎng)溫度較低，使制備得到的ZnMgO薄膜層具有結(jié)晶質(zhì)量高，不出現(xiàn)分相，吸收截至邊陡峭等特點(diǎn)，進(jìn)而使包含ZnMgO薄膜層的紫外探測(cè)器具有較好的光效應(yīng)能力，無(wú)需調(diào)解ZnMgO薄膜層的光吸收截止邊即可調(diào)節(jié)器件的光響應(yīng)截止邊，而且制備工藝簡(jiǎn)單，反應(yīng)過(guò)程容易控制。

MgGa₂O₄紫外探測(cè)器及其制備方法 897     

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本發(fā)明提供一種MgGa₂O₄紫外探測(cè)器及其制備方法，其中的方法包括：S1、以有機(jī)鎂化合物作為鎂源，有機(jī)鎵化合物作為鎵源，以高純氧氣為氧源，利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法在襯底的表面生長(zhǎng)MgGa₂O₄薄膜；S2、在MgGa₂O₄薄膜上使用負(fù)膠光刻形成叉指電極掩膜，在叉指電極掩膜濺射金屬后將叉指電極掩膜去除，形成叉指電極；S3、在叉指電極上按壓In粒，得到MSM結(jié)構(gòu)的MgGa₂O₄紫外探測(cè)器。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明使用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法制備MgGa₂O₄薄膜，通過(guò)增加氧氣流量、增加氧分壓、減少氧缺陷的方式，使得制備的MgGa₂O₄薄膜具有結(jié)晶質(zhì)量高、不出現(xiàn)分相、吸收截止邊陡峭等特點(diǎn)，進(jìn)而使包含MgGa₂O₄薄膜的紫外探測(cè)器具有較低的暗電流和較快的光響應(yīng)速度。