pn結(jié)MgxZn1-xO薄膜日盲區(qū)紫外探測器件屬于光電探測技術(shù)領(lǐng)域。現(xiàn)有技術(shù)采用MgxZn1-xO薄膜作為光電轉(zhuǎn)換器件,其光譜響應(yīng)度有待提高;而雖然pn結(jié)MgxZn1-xO薄膜因pn結(jié)的雪崩作用而具有很高的轉(zhuǎn)換效率,但只是被用做電光轉(zhuǎn)換器件。本發(fā)明采用pn結(jié)MgxZn1-xO薄膜,底部電極介于襯底與pn結(jié)MgxZn1-xO薄膜之間,偏置電壓電極、信號電壓電極位于pn結(jié)MgxZn1-xO薄膜上表面且相離,偏置電壓電極與底部電極為pn結(jié)MgxZn1-xO薄膜提供偏置電壓,信號電壓電極與底部電極將pn結(jié)MgxZn1-xO薄膜產(chǎn)生的信號電壓輸出。該方案應(yīng)用于200~300nm紫外導(dǎo)彈尾焰探測、紫外告警、化學(xué)火焰探測等領(lǐng)域。
聲明:
“pn結(jié)MgxZn1-xO薄膜日盲區(qū)紫外探測器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)