一種基于GaSb/InSb/InP異質(zhì)PIN結(jié)構(gòu)的
光伏型紅外探測器,屬于紅外探測技術(shù)領(lǐng)域。該探測器由下至上依次由背電極、重?fù)诫s的N+型InP襯底、重?fù)诫s的N+型InP電子傳輸層、未摻雜的窄禁帶InSb有源區(qū)、重?fù)诫s的P+型GaSb空穴傳輸層以及柵條形上電極)組成。本發(fā)明采用低壓金屬有機物化學(xué)氣相外延技術(shù),在重?fù)诫s的N+型InP襯底制備相應(yīng)結(jié)構(gòu),并利用磁控濺射技術(shù)制備上電極和背電極,得到的器件具有探測率高、響應(yīng)速度快、工作溫度高、制備工藝簡單等特點,在室溫條件下,歸一化探測率D*為2.4×1010cm?Hz1/2W?1,可應(yīng)用于航天、軍事、工業(yè)、民用等領(lǐng)域。
聲明:
“基于GaSb/InSb/InP異質(zhì)PIN結(jié)構(gòu)的光伏型紅外探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)