MgZnO納米線陣列紫外光電探測器,采用雙溫區(qū)化學氣相沉積方法制備MgZnO納米線陣列,由此獲得MgZnO納米線陣列紫外光電探測器,其響應度高于現有MgZnO納米線紫外光電探測器,屬于半導體光電技術領域。本發(fā)明之MgZnO納米線陣列紫外光電探測器下電極位于硅襯底背面,MgZnO納米線分布在硅襯底正面,上電極位于MgZnO納米線上面,并與MgZnO納米線歐姆接觸,其特征在于,所述MgZnO納米線豎直等高、整齊分布,構成MgZnO納米線陣列。本發(fā)明用于環(huán)境污染監(jiān)控、火焰光電探測、紫外預警以及通訊等領域。
聲明:
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