1200℃小型8通道管式爐(高通量燒結(jié)) 264     

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GSL-1200X-MGI-8是一款1200℃小型8通道管式爐，其爐管直徑為20mm，可用于高通量燒結(jié)，最高溫度可達(dá)1200℃。每個(gè)加熱模塊都由獨(dú)立的溫控系統(tǒng)控制，每個(gè)爐管采用真空法蘭密封，可同時(shí)放入8個(gè)樣品，在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下進(jìn)行不同溫度的熱處理，占地小，能耗低，是高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫?zé)Y(jié)、金屬退火、質(zhì)量檢測(cè)用的理想產(chǎn)品。

1700℃真空管式爐 211     

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1700℃真空管式爐GSL-1700X-S采用30段程控PID控溫儀，最高溫度可達(dá)到1700℃，可廣泛地用于真空或惰性氣體保護(hù)狀態(tài)下材料的燒結(jié)和退火。

1200℃高溫箱式爐(27L) 259     

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1200℃高溫箱式爐（27L）KSL-1200X-M爐膛體積為27L，采用高純氧化鋁作為爐膛材料，且表面涂有高溫氧化鋁涂層，以提高加熱效率和保持爐膛潔凈度，延長使用壽命。溫控系統(tǒng)采用PID方式調(diào)節(jié)溫度，可設(shè)置30段升降溫程序，最高工作溫度可達(dá)到1200℃。

帶滑動(dòng)法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng) 268     

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帶滑動(dòng)法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加熱至1200℃，并通過調(diào)整三個(gè)溫區(qū)而建立不同梯度的熱場(chǎng)，可進(jìn)行退火、擴(kuò)散、在不同氣氛中燒結(jié)樣品及CVD等實(shí)驗(yàn)。

快速升溫CVD系統(tǒng) 267     

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快速升溫CVD系統(tǒng)RTP-1000-F3LV是專為半導(dǎo)體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達(dá)3″ ）的退火而設(shè)計(jì)，配有3路流量計(jì)和機(jī)械泵。本機(jī)采用 9KW的紅外燈進(jìn)行加熱，最快升溫速度可達(dá) 100℃/s，配有RS485 接口，可以通過控制軟件在計(jì)算機(jī)上控制運(yùn)行并顯示溫度曲線。

1200℃臺(tái)式箱式爐(7.2L,含通氣孔或觀察窗) 266     

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1200℃臺(tái)式箱式爐（7.2L，含通氣孔或觀察窗）KSL-1200X采用瑞典康泰爾電阻絲為加熱元件，最高溫度可達(dá)到1200℃，連續(xù)工作為1100℃。本機(jī)具有表面溫度低、升降溫度速率快、溫場(chǎng)均衡及節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，是高校、科研院所、工礦企業(yè)進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)、金屬退火、質(zhì)量檢測(cè)的理想設(shè)備。

1400℃小型管式爐 210     

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1400℃小型管式爐GSL-1400X是小型高溫管式爐，采用高純氧化鋁剛玉爐管和硅碳棒加熱元件，設(shè)有兩個(gè)真密封法蘭，控制系統(tǒng)采用高精度可控硅移相觸發(fā)控制，其控溫精度為±1℃，可設(shè)置30段升降溫程序，最高溫度可達(dá)1400℃。

1700℃立式淬火爐 195     

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1700℃立式淬火爐GSL-1700X-80VTQ采用直徑80mm的氧化鋁爐管、下置淬冷水箱結(jié)構(gòu)，專為淬火樣品能從高溫狀態(tài)進(jìn)入冷水或油等淬冷介質(zhì)中快速冷卻而設(shè)計(jì)，以研究材料階段性過渡和微觀結(jié)構(gòu)。

1800℃高溫真空管式爐 263     

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1800℃高溫真空管式爐GSL-1800X-S內(nèi)膛中嵌有ZrO2內(nèi)襯，并采用Kanthal Super-1900硅鉬棒為加熱元件，最高溫度可以達(dá)到1800℃，廣泛用于真空或惰性氣體保護(hù)狀態(tài)下，新材料樣品的燒結(jié)和退火。

大口徑管式爐 259     

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GSL-1100X-XX-S是一款雙溫區(qū)的大口徑管式爐,爐管兩端安裝有鉸鏈?zhǔn)讲讳P鋼密封法蘭。此款管式爐可廣泛地應(yīng)用于在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下對(duì)材料進(jìn)行燒結(jié)或退火等熱處理。溫控方面，設(shè)備可達(dá)到最高溫度為1100℃，可設(shè)置30段升降溫程序，控溫精度為+/-1℃。

小型1000℃RTP爐 264     

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小型1000℃RTP爐OTF-1200X-4-RTP 是一款精巧型快速熱處理管式爐，配有4"石英管和真空法蘭，是專為半導(dǎo)體或太陽能電池基片（最大3"）的退火而設(shè)計(jì)。本機(jī)采用10KW紅外燈管加熱，最快升溫速度為 50℃/s，設(shè)有30段溫度控制，精度為±1℃。此外，通過RS485口和控制軟件可在計(jì)算機(jī)上實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)控制和溫度曲線顯示。

1000℃臥式馬弗爐 168     

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1000℃臥式馬弗爐爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用電阻絲為加熱元件，且均勻地分布六面墻體，有效的保證了溫場(chǎng)的均勻性。測(cè)溫采用性能穩(wěn)定、長壽命的“S”型熱電偶，以提高控溫的精準(zhǔn)性。

小型高溫高壓管式爐 327     

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小型高溫高壓管式爐OTF-1200X-HP-12爐管采用鎳基合金鋼制作而成，最高溫度可達(dá)1100℃，同時(shí)可向爐管中通入氧氣、氮?dú)?、水蒸氣及惰性氣體等。

晶體生長爐 269     

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SKJ-50晶體生長爐是用提拉法生長高質(zhì)量氧化物單晶及金屬單晶，如藍(lán)寶石、GGG、YAG、SrLaAlO4、LaAlO3、Si、Ge等，最大可長出晶體尺寸達(dá)3" 。

微波高溫馬弗爐 381     

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MF型微波高溫馬弗爐是實(shí)驗(yàn)室專用的標(biāo)準(zhǔn)微波高溫設(shè)備，適用于空氣氣氛條件下微波合成、微波灰化、微波膨化、微波熱處理、微波焙燒、微波煅燒、微波燒結(jié)等工藝實(shí)驗(yàn)研究。

金屬晶體生長爐 484     

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SKJ-M50-16金屬晶體生長爐是用坩堝下降法生長金屬晶體的設(shè)備，可在真空、大氣、惰性氣體或其他保護(hù)氣氛下、在可控的局部壓力狀態(tài)下運(yùn)行。根據(jù)金屬的屬性，本機(jī)可采用中頻感應(yīng)加熱電源，以及石墨電阻加熱兩種加熱方式；采用歐陸微處理器與熱電偶閉環(huán)控制爐溫，使結(jié)晶體按照一定的直徑進(jìn)行控制。

微型管式爐 283     

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GSL-1000X-S是一款微型管式爐（管徑：20mm），最高溫度可達(dá)到1000℃，標(biāo)配內(nèi)包含不銹鋼密封法蘭與石英管，客戶接通電源即可立即使用。30段可編程精密溫度控制器,可根據(jù)不同的客戶需求來設(shè)定升降溫程序。爐體可垂直或水平放置以滿足不同的應(yīng)用，如樣品熱處理、VSL、CVD 以及氣體分析等實(shí)驗(yàn)工藝中。

1100℃小型高真空爐 271     

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1100℃小型高真空爐VBF-1200X-H8是專門針對(duì)在1100℃真空或各種氣氛條件下，對(duì)6″以下的樣品進(jìn)行熱處理而設(shè)計(jì)的真空管式爐。

熔煉鑄造爐 272     

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VIMC-150熔煉鑄造爐適用于鉑、鈀、鈦、黃金、K金、銀和銅等金屬鑄造，廣泛應(yīng)用于學(xué)校、實(shí)驗(yàn)室、珠寶首飾、牙科鑄造和工藝品鑄造等相關(guān)行業(yè)領(lǐng)域，采用智能西門子控制系統(tǒng) ，可連續(xù)24小時(shí)工作；在真空和惰性氣體保護(hù)下，全自動(dòng)真空倒模成形，成品無氧化、密度高和無沙孔；全自動(dòng)鑄造過程，融化時(shí)間5-6分鐘；鑄造方法是反轉(zhuǎn)式真空加壓鑄造方式。

1100℃帶校準(zhǔn)系統(tǒng)管式爐 270     

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GSL-1100X-50-LVT 是一款已通過CE認(rèn)證的1100℃分體式真空管式爐. 標(biāo)配內(nèi)包含KF25 轉(zhuǎn)接口、 進(jìn)口數(shù)顯真空計(jì) 、雙旋片機(jī)械泵 、 油霧過濾器,另外配有OMEGA 測(cè)溫儀及K 型熱電偶 一套, 可將K型熱偶從左端法蘭安裝于爐管內(nèi)部從OMEGA測(cè)溫儀上讀取樣品實(shí)時(shí)溫度. 30段可編程溫度控制儀，可按不同客戶的實(shí)驗(yàn)要求設(shè)置所需要的升溫速率，控溫精度±1℃.爐體在加熱過程中真空不能高于1E-2 Torr使用，否則容易造成爐管的損壞。

1700℃立式高溫管式爐 368     

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1700℃立式高溫管式爐GSL-1700X-80VT采用硅鉬棒進(jìn)行加熱，最高溫度可以達(dá)到1700℃，專門針對(duì)于材料在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下的燒結(jié)。溫控系統(tǒng)采用PID控制器，可設(shè)置30段升降溫程序，控溫精度為± 1℃。

1200℃三溫區(qū)可傾斜旋轉(zhuǎn)爐 278     

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1200℃三溫區(qū)可傾斜旋轉(zhuǎn)爐OTF-1200X-5L-R-III主要針對(duì)于粉料的混燒，爐管可360°轉(zhuǎn)動(dòng)，且內(nèi)部設(shè)有4片揚(yáng)料板，可增加粉料燒結(jié)的均勻性，因而適合于實(shí)驗(yàn)室中較多粉料的燒結(jié)，特別是鋰電材料的燒結(jié)，如LiFePO3、LiMnNiO3等。

真空熱壓爐 403     

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OTF-1200X-VHP4真空熱壓爐配有?4"石英管、20T電動(dòng)壓力機(jī)，可以加熱到1100℃，帶水冷的法蘭可使真空度達(dá)到10-5torr（用分子泵），在5T壓力下可鍵合多層基片，是在真空高壓下制備致密化合物材料的理想設(shè)備。

1200℃立式真空小管式爐 285     

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1200℃立式真空小管式爐OTF-1200X-S-VT是一款小型開啟式立式管式爐，適合于對(duì)樣品在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下吊燒和淬火。采用PID控制器進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)，可設(shè)置30段升降溫程序，控溫精度為± 1℃。

混氣系統(tǒng)4路質(zhì)子 263     

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混氣系統(tǒng)4路質(zhì)子GSL-4Z是用于控制一種到四種的氣體流經(jīng)真空密封的管式爐，這種氣體控制系統(tǒng)安裝在移動(dòng)架內(nèi)，管式爐可以放在移動(dòng)架上面，氣體控制系統(tǒng)的前面板上有控制并顯示氣體流量的調(diào)節(jié)閥，可以用于CVD系統(tǒng)及退火爐，用來研究氣體環(huán)境對(duì)材料的影響，在半導(dǎo)體和集成電路工業(yè)、特種材料學(xué)科、化學(xué)工業(yè)、石油工業(yè)、醫(yī)藥、環(huán)保和真空等多種領(lǐng)域的科研和生產(chǎn)中有著重要的作用，廣泛應(yīng)用于電子工藝設(shè)備，如擴(kuò)散、氧化、外延、CVD、等離子濺射以及鍍膜設(shè)備、光纖熔煉、混氣配氣系統(tǒng)及其它分析儀器。

高真空鉭加熱爐 270     

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高真空鉭加熱爐是高溫電阻加熱爐。以鉭為加熱元件，適用于高真空狀態(tài)下對(duì)金屬、非金屬及其化合物進(jìn)行燒結(jié)、熔化，也可以對(duì)小型樣品進(jìn)行真空釬焊的操作，如硬質(zhì)合金、鎳基合金、粉末冶金、鎳鈷合金、合金鋼、不銹鋼、稀土釹鐵錋等。高真空鉭加熱爐極限工作溫度為2000℃，工作最高溫度1800℃，工作過程中的加熱速度可以通過溫控表進(jìn)行設(shè)置，但升溫速度過快會(huì)使鉭爐膽的壽命會(huì)有所降低，為了延長爐子的使用壽命，推薦每分鐘的升溫速度為20℃，在500℃以下可以適當(dāng)加快升溫速度。

1200℃開啟式雙溫區(qū)管式爐 261     

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1200℃開啟式雙溫區(qū)管式爐OTF-1200X-II最高溫度可達(dá)到1200℃，并可通過調(diào)節(jié)兩個(gè)獨(dú)立的控溫程序，使?fàn)t管內(nèi)溫度場(chǎng)形成一梯度。本機(jī)可用CVD方法來生長納米材料和制作各種薄膜。

1200℃單管滑動(dòng)快速加熱冷卻爐 269     

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1200℃單管滑動(dòng)快速加熱冷卻爐OTF-1200X-80SL底部安裝一對(duì)滑軌，可手動(dòng)進(jìn)行爐體移動(dòng)，最高工作溫度達(dá)1200℃，加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環(huán)境下可以達(dá)到10℃/s。為獲得最快加熱，可預(yù)先加熱爐子到設(shè)定的溫度，然后移動(dòng)爐子到樣品位置；為獲得最快冷卻，可在樣品加熱后移動(dòng)爐子至另一端，本機(jī)是低成本進(jìn)行快速熱處理的理想設(shè)備。

1500℃三溫區(qū)開啟式管式爐 203     

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1500℃三溫區(qū)開啟式管式爐OTF-1500X-III是高溫管式爐，最高溫度可達(dá)1500℃，三個(gè)溫區(qū)分別用三個(gè)獨(dú)立的溫控系統(tǒng)控制，每個(gè)溫區(qū)都可以設(shè)置30段升降溫程序，并設(shè)有過熱和斷偶保護(hù)功能，控溫精度高達(dá)±1℃。本機(jī)特別適合于在氣氛保護(hù)或真空環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行退火和燒結(jié)。

微波氣氛燒結(jié)爐 375     

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QS型微波氣氛燒結(jié)爐是標(biāo)準(zhǔn)化多功能微波高溫實(shí)驗(yàn)工作站，適用于各種氣氛、真空條件下的合成、焙燒、熱處理、燒結(jié)等工藝研究。