霧化制粉設(shè)備 252     

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該設(shè)備主要用于貴金屬提純、貴金屬粉末材料制備，全自動(dòng)化控制，低損耗，無污染。霧化噴腔采用全球獨(dú)創(chuàng)的定點(diǎn)霧化制粉設(shè)計(jì)，取代了目前國際上采用多點(diǎn)霧化制粉設(shè)計(jì)多點(diǎn)霧化缺點(diǎn)高耗能低效率，而定點(diǎn)霧化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)同等的效率只需一半的耗能。（目前該技術(shù)已申請(qǐng)發(fā)明專利和實(shí)用新型專利）。

鍵合絲連鑄爐 266     

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本設(shè)備包括中頻感應(yīng)加熱裝置，高真空水冷鑄造室，高真空裝置（包含油旋轉(zhuǎn)泵，油擴(kuò)散泵），精密牽引裝置，收線裝置等。高真空水冷鑄造室內(nèi)部為感應(yīng)線圈，并包含進(jìn)口高純度石墨坩堝及鑄造模具和結(jié)晶器。

混合管式/箱式爐 372     

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KSL-1200X-H是一款**設(shè)計(jì)的混合管式/箱式爐，此款高溫爐配有2個(gè)爐管（帶有真空密封法蘭）和一個(gè)7.2L的箱式腔體。此款高溫爐可在同一時(shí)間對(duì)不同樣品在空氣下燒結(jié)，也可對(duì)部分樣品在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下熱處理。

五面加熱箱式爐 318     

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五面加熱箱式爐KSL-1200X-5L-UL專門為合金及其它對(duì)溫度場均勻性要求較高的金屬材料進(jìn)行退火處理而設(shè)計(jì)的，爐腔內(nèi)的五個(gè)面都安裝有加熱元件，具有較好溫度場均勻性。此外，腔體底部安裝有碳化硅板，最大可承受樣品的重量可達(dá)100kg。

1200℃微型開啟式管式爐 252     

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1200℃微型開啟式管式爐OTF-1200X-S是小型管式爐，最高工作溫度為1200℃，最大功率為1200W，可配置直徑為1"或2"的高純石英爐管。爐管兩端配置一對(duì)不銹鋼法蘭，設(shè)有機(jī)械壓力表、不銹鋼截止閥和寶塔嘴接頭，允許樣品在真空和氣體保護(hù)下進(jìn)行燒結(jié)。

工位高通量電弧熔煉系統(tǒng) 317     

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SP-MSM360 32工位高通量電弧熔煉系統(tǒng)是一款多工位（工位數(shù)量可按照要求進(jìn)行定制加工）的高通量電弧熔煉系統(tǒng)，專門針對(duì)于合金的結(jié)構(gòu)和相圖研究實(shí)驗(yàn)。由真空手套箱、X-Y-Z軸可移動(dòng)機(jī)床和電弧熔煉爐組成，一次可容煉32組樣品，其熔煉溫度可高達(dá)3500℃。SP-MSM360 32工位高通量電弧熔煉系統(tǒng)在工作過程中可以通過控制系統(tǒng)來移動(dòng)電極到所要熔煉的坩堝內(nèi)對(duì)樣品進(jìn)行熔煉。煉樣坩堝和電極都采用水冷裝置，腔室內(nèi)可以通氬氣對(duì)熔煉氛圍進(jìn)行保護(hù)，對(duì)于采用高通量法來探索新一代高溫合金的實(shí)驗(yàn)中，此系統(tǒng)將是優(yōu)佳選擇。

四電弧提拉法單晶生長爐 263     

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SP-MSM-4CZ四電弧提拉法單晶生長爐是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對(duì)樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達(dá)3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達(dá)10-5Torr.此款單晶爐特別適合生長高熔點(diǎn)的單晶，如Ti單晶，YSZ，SiC和CeRh2Si等等。

1200℃單溫區(qū)可傾斜旋轉(zhuǎn)爐 380     

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1200℃單溫區(qū)可傾斜旋轉(zhuǎn)爐OTF-1200X-4-R是針對(duì)無機(jī)化合物煅燒，為獲得較好的一致性而設(shè)計(jì)。特別對(duì)于鋰電池負(fù)極材料的制備，具有極好的效果，且可提高導(dǎo)電性。此外，還可應(yīng)用在粉體材料上涂層，如LiFePO3、LiMnNiO3等材料的研究和開發(fā)。

高真空感應(yīng)熔煉/鑄造爐 249     

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IMCS-2100是一款實(shí)驗(yàn)級(jí)別的感應(yīng)熔煉&鑄造系統(tǒng)，可用于熔煉和鑄造各種合金，其最大處理樣品量為1000g,最高熔煉溫度可達(dá)2100℃。熔煉和鑄造都在一真空腔體內(nèi)，其真空度可達(dá)10-6Torr,用品可在真空或惰性氣體環(huán)境內(nèi)進(jìn)行處理。

1100℃多工位管式爐 478     

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GSL-1100X-S是一款已通過CE認(rèn)證的小口徑管式爐(1～2"直徑),是專為制備小樣品而設(shè)計(jì)。最高溫度可達(dá)1100℃。標(biāo)配內(nèi)包含不銹鋼密封法蘭與石英管，客戶接通電源即可立即使用。30段可編程精密溫度控制器,可根據(jù)不同的客戶需求來設(shè)定升降溫程序?？販鼐取?℃。爐體可垂直或水平放置以滿足不同的應(yīng)用,如VSL、CVD 、等淬火試驗(yàn)。

微波滑軌式管式爐 343     

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ZGS型微波滑軌式管式爐是一款微波快速升溫又可快速降溫的真空氣氛微波管式爐。具有真空、可控氣氛及高溫的實(shí)驗(yàn)環(huán)境。適用于碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)可控生長、陶瓷電容氣氛燒結(jié)、氧化石墨烯還原膨化等實(shí)驗(yàn)。

1500℃快速升溫管式爐 299     

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GSL-1100X-RTP50是一款CE認(rèn)證的快速加熱冷卻爐，配置50mm OD×44mm ID×304.8mm L的高純石英管（單端封口），最高工作溫度可達(dá)1100℃，一滑軌安裝在右側(cè)法蘭處用于爐管的手動(dòng)移動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)快速的加熱冷卻。為取得最快加熱，可以預(yù)先加熱爐子到設(shè)定的溫度，然后將爐管插入到加熱區(qū)內(nèi)；為獲得最快冷卻，可在樣品加熱后從加熱爐中移出爐管在空氣中進(jìn)行強(qiáng)冷。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環(huán)境下可以達(dá)到10℃/s，是低成本快速熱處理的理想爐子。

高真空快速CVD系統(tǒng) 363     

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高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統(tǒng)和高真空機(jī)組組成，可進(jìn)行半導(dǎo)體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達(dá)3″ ）的退火，并采用 10KW的紅外燈進(jìn)行加熱，最快升溫速度可達(dá) 120℃/s，配有RS485 接口，可以通過控制軟件在計(jì)算機(jī)上控制運(yùn)行并顯示溫度曲線。

上吸鑄式感應(yīng)熔煉爐 194     

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SP-15VSC上吸鑄式感應(yīng)熔煉爐是一款通過MET質(zhì)量認(rèn)證且頂部帶有真空吸鑄裝置的15KW感應(yīng)加熱/熔化系統(tǒng)。這種獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)通過將熔融金屬直接抽吸到頂部石英管中來鑄造產(chǎn)品（3-5mm直徑的合金棒）。真空吸鑄裝置所施加的吸力能夠讓熔體快速運(yùn)動(dòng)從而使石英管內(nèi)的熔體的快速凝固。該套設(shè)備采用吸鑄法鑄造合金能有效減小合金收縮缺陷，是制備小直徑合金棒的理想工具。

1400℃三溫區(qū)真空氣氛管式爐 271     

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1400℃三溫區(qū)真空氣氛管式爐GSL-1400X-Ⅲ以硅碳棒為加熱元件，采用S型單鉑銠熱電偶測溫和708P溫控儀自動(dòng)控溫。本機(jī)設(shè)有真空裝置，可在多種氣氛下工作，主要用于電子陶瓷產(chǎn)品的預(yù)燒、燒結(jié)、鍍膜、高溫?zé)峤獾蜏爻练e（CVD）等工藝，特別適合批量生產(chǎn)使用。

電弧熔煉爐 198     

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AM-800-3電弧熔煉爐（3工位，帶有鑄造和磁力攪拌系統(tǒng)，最大熔煉量為200g）是一款大型的高真空電弧熔煉系統(tǒng)，3個(gè)熔煉工位（3坩堝）。一個(gè)工位帶有磁力攪拌系統(tǒng)（熔煉量為80g）,一個(gè)熔煉工位帶有真空吸注裝置（熔煉量為150g）,最后一個(gè)工位最大熔煉量為200g.此多工位熔煉系統(tǒng)可實(shí)時(shí)各種實(shí)驗(yàn)用于探索新一代合金。

25KW程序控溫感應(yīng)熔煉爐 287     

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25KW程序控溫感應(yīng)熔煉爐SP-25TC是一款小型程控感應(yīng)熔煉系統(tǒng)，配備有直徑?100mm的石英管、不銹鋼法蘭、石墨坩堝、真空泵、水冷機(jī)和移動(dòng)架，最大功率為25KW，是生長晶體和合金熔煉（熔點(diǎn)< 1700oC）的理想選擇。

小型金屬熔煉爐 318     

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SP-MSM200（非自耗式）小型金屬熔煉爐是一款小型的電弧熔煉爐，可在不破壞氣體保護(hù)氣氛的條件下翻轉(zhuǎn)合金錠進(jìn)行多次熔煉，且可以同時(shí)制備多個(gè)樣品（少于7個(gè)），是高等院校、科研院所制備金屬及合金試樣的理想設(shè)備，可用于新型合金材料的制備及提純、混合應(yīng)用。

小型開啟式管式爐 283     

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VBF-1200X-H8是一款已通過CE認(rèn)證的真空管式爐，加熱絲均勻分布石英腔體外側(cè)。腔體尺寸 Φ200x340mm水平安裝. 專用水冷法蘭及針閥密封，使用雙旋片機(jī)械泵或分子泵機(jī)組時(shí)真空度可達(dá)10-2 ～10-5torr。它是專門針對(duì)在1100℃真空或各種氣氛條件下對(duì)6"以下的樣品進(jìn)行熱處理而設(shè)計(jì)的，同時(shí)此款設(shè)備也可以作為真空焊接爐，來焊接小的樣品。

氣體霧化金屬粉末制備系統(tǒng) 276     

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GSL-1600X-VIGA300氣體霧化金屬粉末制備系統(tǒng)是**研制開發(fā)的冶金設(shè)備，可用于制備鐵基金屬粉末、鎳基金屬粉末、銅粉末、貴金屬粉末等。與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作及清理方便的優(yōu)點(diǎn),是一款實(shí)驗(yàn)室制備材料粉末的理想設(shè)備。

1100℃16通道管式爐(高通量退火&淬火) 282     

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GSL-1100X-MGI-16是一款16通道管式爐，針對(duì)于高通量樣品燒結(jié)，退火和淬火使用，其最高溫度可達(dá)1100℃。每個(gè)加熱模塊都由獨(dú)立的溫控系統(tǒng)控制，每個(gè)爐管都是采用真空法蘭密封可對(duì)樣品在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下進(jìn)行熱處理。

1100℃高壓氫氣管式爐 272     

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1100℃高壓氫氣管式爐OTF-1200X-60HG是專為在氫氣條件下處理樣品而設(shè)計(jì)的，最高溫度可達(dá)1100℃，采用可編程的30段精密溫度控制器。本機(jī)爐管采用無縫鎳基合金制作而成，爐管可用于所有惰性氣體和氧氣氣氛，氣壓可達(dá)到30 PSI。此外，本機(jī)設(shè)有3M氫氣探測報(bào)警器，一旦發(fā)現(xiàn)泄露，報(bào)警器將自動(dòng)關(guān)閉高純氫氣發(fā)生器。

800℃雙溫區(qū)高壓爐 279     

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800℃雙溫區(qū)高壓爐OTF-1200X-II-HVHP-80是高溫高壓管式爐，爐管采用 SS310S鎳基合金鋼制作而成，兩端配有法蘭和閥門，專為在105 PSI高壓下使用，可在通入氧化或惰性氣體的氣氛下，處理特殊的化合物。本機(jī)采用PID方式進(jìn)行控溫，每個(gè)溫區(qū)可獨(dú)立控制。

2000℃溫度可控型30KW感應(yīng)加熱爐 283     

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2000℃溫度可控型30KW感應(yīng)加熱爐SP-85KTC是一款較大型高溫感應(yīng)加熱、熔煉爐系統(tǒng)，配備30KW感應(yīng)加熱器、8.5"（216mm）石英管、鉸接式法蘭及閥門、石墨坩堝、石墨毯、氧化鋁保溫毯、16L/min循環(huán)冷水機(jī)、真空泵和移動(dòng)爐架，最高溫度可以達(dá)到2000℃（使用時(shí)石英管內(nèi)需通入保護(hù)性氣體），是生長晶體、金屬熔煉和各種材料的熱處理的**選擇。

小型混合管式/箱式爐 215     

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KSL-1100X-S-H是一款通過CE認(rèn)證的小型混合管式/箱式爐，其爐膛尺寸為100x100x100mm,做為單純的箱式爐可對(duì)樣品在空氣環(huán)境下進(jìn)行熱處理。此款設(shè)備配有石英爐管和不銹鋼密封法蘭，可對(duì)樣品在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下進(jìn)行熱處理。設(shè)備最高溫度可達(dá)1100℃，而且功率僅僅為500-700W。另外設(shè)備體積較小，可放入到手套箱里操作。

小型金屬熔煉吸鑄爐 276     

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MSM20-8（非自耗式）小型金屬熔煉吸鑄爐是一款小型的電弧熔煉爐，可在不破壞氣體保護(hù)氣氛的條件下翻轉(zhuǎn)合金錠進(jìn)行多次熔煉，且可以同時(shí)制備多個(gè)樣品（少于7個(gè)），是高等院校、科研院所制備金屬及合金試樣的理想設(shè)備，可用于新型合金材料的制備及提純、混合應(yīng)用。

1200℃雙管三溫區(qū)管式爐 268     

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1200℃雙管三溫區(qū)管式爐（石墨烯生長）OTF-1200X-III-D5-4最高工作溫度可以達(dá)到1200℃，專門針對(duì)于用CVD方法在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、太陽能電池的電極材料和其他電池電極材料等。

加熱平臺(tái) 265     

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MTI系列加熱平臺(tái)是專為材料加工及材料研究實(shí)驗(yàn)室而開發(fā)，采用鋁材質(zhì)整體鑄造，單片機(jī)作為核心控制部件，升溫速度快，控溫精準(zhǔn)，溫度高低可調(diào)，使用完畢后散熱速度快。MTI系列加熱平臺(tái)主要適用于加熱時(shí)不會(huì)發(fā)生性質(zhì)和性狀改變的材料，即不受加熱影響的材料，尤為適用于對(duì)溫度敏感材料（如晶體、半導(dǎo)體、陶瓷、金屬等材料）的加熱。也可用于實(shí)驗(yàn)室做化學(xué)分析、物理測定、熱處理時(shí)進(jìn)行物品的烘焙、干燥以及其它溫度試驗(yàn)加熱。設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單操作方便，是實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行加熱用的合適工具。

1400℃鐘罩爐 261     

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1400℃鐘罩爐KSL-1400X-BL是大型的鐘罩爐，其最高溫度為1400℃，容積為512L，是金屬退火和高溫?zé)Y(jié)的**理想設(shè)備。

1700℃三溫區(qū)高溫真空管式爐 258     

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1700℃三溫區(qū)高溫真空管式爐GSL-1700X-Ⅲ采用三個(gè)數(shù)字溫度控制器進(jìn)行獨(dú)立控溫，可設(shè)置30段升降溫程序，中心加熱區(qū)采用800℃級(jí)硅鉬棒加熱，另外兩個(gè)溫區(qū)采用硅碳棒進(jìn)行加熱，調(diào)整三個(gè)溫區(qū)的溫度，可形成一個(gè)溫度梯度，進(jìn)行功能材料的制備。同時(shí)，本機(jī)也適用于CVD法制作薄膜外延生長。