本發(fā)明公開了一種PZT基高居里溫度壓電陶瓷及制備方法,包括以下重量份數(shù)的原料:四氧化三鉛100份、二氧化鋯26?28份、二氧化鈦15?17份、五氧化二鈮2.0?4.0份、
碳酸鋰0.1?0.2份。經(jīng)LiNb0
3合成、混料、預(yù)燒、造粒、成型及排塑、燒結(jié)、上電極、極化、測量制備而成。通過在PZT中引入高居里溫度LiNb0
3組分,進一步提高了PZT基壓電陶瓷的居里溫度Tc,拓展了壓電陶瓷在極端環(huán)境下的應(yīng)用。
聲明:
“PZT基高居里溫度壓電陶瓷及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)