本發(fā)明公開了一種表面吸附鋰離子的范德華異質(zhì)結(jié)光電二極管器件結(jié)構(gòu),屬于
半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,包括:源極:空穴注入的單層硼烯,漏極:電子注入的單層C
4N
4,光敏結(jié)構(gòu):包括本征單層硼烯與本征單層C
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4垂直堆疊形成的范德華異質(zhì)結(jié);以及分別與本征單層硼烯和C
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4連接的源漏極;其中硼烯和C
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4的能帶結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)交錯(cuò)方式的能帶重排。其中,在硼烯的上表面設(shè)置以HfO
2為材質(zhì)的介電層和上金屬電極作為頂柵,在C
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4的下表面設(shè)置以BN為材質(zhì)的介電層和下金屬電極作為底柵,形成雙柵極結(jié)構(gòu)。分別在上下表面的柵極上設(shè)置門電壓,通過雙門壓調(diào)控發(fā)光二極管電子傳輸?shù)姆菍?duì)稱性;本發(fā)明的結(jié)構(gòu)能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法有效調(diào)控范德華異質(zhì)結(jié)層間肖特基勢(shì)壘的問題。
聲明:
“表面吸附鋰離子的范德華異質(zhì)結(jié)光電二極管器件結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)