本發(fā)明公開了一種基于表面氫氧殼層調(diào)控的光電極及其制備方法,屬于無機(jī)光電極材料制備領(lǐng)域。本發(fā)明選取FTO、ITO、金屬片等導(dǎo)電材料用作電極基底,通過水熱法、
電化學(xué)沉積、旋涂提拉等方法生長(zhǎng)均勻致密和結(jié)晶良好的納米結(jié)構(gòu)薄膜,通過真空、惰性或還原氣氛煅燒在電極中引入氧空位缺陷,并進(jìn)一步采用光輻照下的電化學(xué)處理實(shí)現(xiàn)缺陷的深度分布調(diào)控,最后利用電極體系進(jìn)行電極表面電還原處理,協(xié)同發(fā)揮深度分布的氧空位層分離電荷和氫化層的表面助催化作用,獲得電極光電催化活性和運(yùn)行穩(wěn)定性的提高。本發(fā)明制備的電極光電催化活性高、成本低、易于實(shí)現(xiàn)循環(huán)周期內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行,有望在環(huán)境修復(fù)和分解水制取新能源等領(lǐng)域獲得應(yīng)用。
聲明:
“基于表面氫氧殼層調(diào)控的光電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)