本發(fā)明涉及一種高純度、高產(chǎn)率制備WS2層片狀納米結(jié)構(gòu)的方法,屬于材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用真空加熱爐,以三氧化鎢粉和硫粉作為蒸發(fā)源,在真空環(huán)境中通過(guò)分離式加熱蒸發(fā)的方法,在載氣帶動(dòng)下,高產(chǎn)率一步合成得到高純度、高密度的WS2層片狀納米結(jié)構(gòu)。該方法具有設(shè)備和工藝簡(jiǎn)單、材料合成與生長(zhǎng)條件嚴(yán)格可控、產(chǎn)品收率高、成本低廉等優(yōu)點(diǎn)。所獲得的WS2層片狀納米結(jié)構(gòu),厚度在50-250nm之間,直徑在20-40μm之間,產(chǎn)物純度高,納米結(jié)構(gòu)直徑和厚度均勻,形貌可控,可望在固體潤(rùn)滑劑、潤(rùn)滑油添加劑、半導(dǎo)體器件以及
新能源材料領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。
聲明:
“高純度、高產(chǎn)率制備WS2層片狀納米結(jié)構(gòu)的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)