本發(fā)明提供一種Fe7S8@V2C@C高倍率儲鈉電極材料的制備方法,屬于儲鈉電極材料制備技術(shù)領域。該方法采用新型二維材料MXene中具備儲鈉優(yōu)勢的碳化釩作為基底,原位生長納米氫氧化鐵顆粒,然后利用多巴胺的自包覆性使其表面形成聚多巴胺層,經(jīng)過一步熱處理同時對其進行碳化硫化,得到高倍率Fe7S8@V2C@C儲鈉電極材料。該材料中三維堆積狀V2C納米片可以減輕Fe7S8納米顆粒的團聚,同時還能縮短了離子傳輸路徑,其本征高導電性與低Na+遷移勢壘也促進了電荷的快速轉(zhuǎn)移,使其具有優(yōu)異的倍率性能。
復合材料表面包覆的碳層則可有效地緩解Fe7S8儲鈉時帶來的體積變化,從而保障該材料的長循環(huán)穩(wěn)定性。
聲明:
“Fe7S8@V2C@C高倍率儲鈉電極材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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