本發(fā)明涉及一種具有超薄殼層結(jié)構(gòu)的Au@SiO2核殼
納米材料的可控制備方法。本發(fā)明主要解決了在PDDA修飾的金納米粒子上不易進(jìn)行SiO2包覆的問題。所包覆的Au@SiO2核殼納米材料的殼層厚度可以通過加入MPTS的量和反應(yīng)時(shí)間等參數(shù)來進(jìn)行控制。所制備的Au@SiO2核殼納米粒子具有形貌規(guī)則、殼層厚度均一平整,厚度可以控制在5-20nm的范圍。本發(fā)明中具有超薄殼層結(jié)構(gòu)的Au@SiO2核殼納米材料不僅在催化、生物傳感等方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值,也為進(jìn)一步制備多結(jié)構(gòu)、多功能的特殊納米材料提供了模板材料方面的更多選擇。
聲明:
“超薄殼層Au@SiO2納米復(fù)合材料的可控制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)