本發(fā)明涉及
功能材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種外延生長(zhǎng)碳化硅?
石墨烯薄膜的制備方法。外延生長(zhǎng)碳化硅?石墨烯薄膜的制備方法,包括如下步驟:(1)碳化硅?石墨烯制備;(2)碳化硅?石墨烯薄膜外延生長(zhǎng)。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)碳化硅?石墨烯的連續(xù)生長(zhǎng),從而省去了目前常用在碳化硅上生長(zhǎng)石墨烯所需的氫氣刻蝕及重新制造富硅集的步驟,減少氫氣刻蝕帶來(lái)的晶格缺陷和表面硅富集嚴(yán)重削減現(xiàn)象。并且石墨烯具有較少的缺陷,層數(shù)在4層左右且均勻分布,具有較好的晶體質(zhì)量。
聲明:
“外延生長(zhǎng)碳化硅-石墨烯薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)