本發(fā)明提供了一種晶體材料及其制造方法,該材 料能大量荷載摩爾比大于3的客體,并顯示吉布斯自 由能函數(shù)與客體濃度無關(guān)。該晶體材料屬MeyChx 類,其中Me選自Bi和Sb,Ch選自Te、Se和S,Y 為1或2,Z在1至3的范圍內(nèi),故此該材料的缺陷 密度低得足以允許在范德瓦耳斯溝槽內(nèi),每摩爾所述 材料至少層夾3摩爾鋰,而并無明顯晶格畸變。本發(fā) 明可提供一種客體荷載高達10摩爾/摩爾主體的 層夾材料。
聲明:
“能荷載高量客體的層狀晶體材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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