本發(fā)明公開了一種硅基垂直槽式納米線光調(diào)制器,可用于光通信、集成光子學(xué)和硅基光子學(xué)等領(lǐng)域。在垂直槽式納米線的基礎(chǔ)上,通過在其縫隙區(qū)及上包層填充電光系數(shù)高、折射率低的聚合物材料,高折射率區(qū)為本征硅,兩側(cè)為鈮酸鋰并與電極直接接觸,構(gòu)建硅光調(diào)制器。通過該調(diào)制器的設(shè)計,可以實現(xiàn)縫隙區(qū)的光功率及射頻電場最大,同時有效面積最小,獲得最優(yōu)的電光效應(yīng),使光場/射頻電場的交迭積分因子最大、射頻傳輸損耗低、光/射頻模式的有效折射率匹配,以獲得最佳的調(diào)制性能。
聲明:
“硅基垂直槽式納米線光調(diào)制器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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