本發(fā)明屬于壓敏電阻原料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種鈦酸鍶壓敏陶瓷的制備工藝,包括提高配料精度、利用γ輻射源預(yù)處理原料,并經(jīng)過兩次混料后,控制各步驟條件,得到產(chǎn)品。本發(fā)明相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):一次混料用60Coγ輻射源輻照,能夠使其部分原料提前反應(yīng),再通過升溫使原料進(jìn)一步反應(yīng),得到晶粒叫大的鈦酸鍶晶相,在不添加鋰鹽的條件下降低了燒結(jié)溫度,能夠使晶體微觀結(jié)構(gòu)得到明顯改善,晶界致密,通過各部條件的控制綜合作用,提高產(chǎn)品的主要性能。
聲明:
“鈦酸鍶壓敏陶瓷的制備工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)