本發(fā)明屬于電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種硅基
負(fù)極材料及其制備方法,以及一種負(fù)極片,一種二次電池。其中,
硅基負(fù)極材料包括硅基內(nèi)核,包覆在所述硅基內(nèi)核表面的離子導(dǎo)體層,和包覆在所述離子導(dǎo)體層背離所述硅基內(nèi)核表面的電子導(dǎo)體層,所述電子導(dǎo)體層包括一維導(dǎo)體材料和/或二維導(dǎo)體材料。本發(fā)明硅基負(fù)極材料中,包覆在硅基內(nèi)核表面的離子導(dǎo)體層,離子傳輸速率快,可顯著提升內(nèi)核硅基材料的鋰離子等離子脫嵌速率;包覆在外表面的電子導(dǎo)體層包含有一維和/或二維導(dǎo)體材料,可以提高硅基負(fù)極材料表面的電子傳輸遷移效率,同時(shí)對(duì)硅基材料起到纏繞包覆效果,抑制硅基材料的體積膨脹效應(yīng),提升硅基負(fù)極材料的容量密度、循環(huán)性能和安全性能。
聲明:
“硅基負(fù)極材料及其制備方法、負(fù)極片、二次電池” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)