本發(fā)明公開了一種氧化錫多孔薄膜及其制備方 法,屬于一種
功能材料。本發(fā)明需要解決的技術問題是提供一 種氧化錫多孔薄膜及其制備方法,用這種方法所制成的氧化錫 多孔薄膜,其孔隙率高,比表面積大。本發(fā)明的技術方案要點 是,氧化錫多孔薄膜,孔徑為0.01-1000μm,孔隙率為20% -70%,比表面積為10m2/g- 150m2/g。氧化錫多孔薄膜的制備 方法,將錫源和有機酸置于反應器中在100-280℃在下攪拌溶 解得到錫的有機物前驅體,將上述前驅體放入馬弗爐內在大于 300℃條件下控溫燒結,制成氧化錫多孔薄膜。有機酸為檸檬 酸或者烏頭酸。錫源為金屬錫、二氯化錫、四氯化錫中的任一 種。本發(fā)明可用于氣敏元件、
鋰電池陰極材料、催化、分離吸 附、光學及環(huán)境污染治理等領域。
聲明:
“氧化錫多孔薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)