本發(fā)明公開了一種微米級五邊形氧化亞錫構(gòu)成的薄膜的制備方法,該方法采用商品氧化亞錫作為前驅(qū)物,硅片作為基底,使用氣相沉積法成功得到了微米級五邊形氧化亞錫構(gòu)成的薄膜材料。對于氧化亞錫薄膜的制備,該方法所需原料簡單易獲取,成本較低且無廢棄物產(chǎn)生。制備工藝操作簡單,不受環(huán)境因素限制。氧化亞錫由于其特殊的光學(xué)和電學(xué)性能,使得其在光電領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣,因此被廣泛用于催化劑、還原劑、薄膜晶體管、
鋰電池電極及超大容量儲器等領(lǐng)域。本發(fā)明創(chuàng)新了氧化亞錫薄膜制備的研究思路,為氧化亞錫薄膜的光電性能研究奠定基礎(chǔ)。
聲明:
“由微米級五邊形氧化亞錫構(gòu)成的薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)