本發(fā)明公開了一種高電阻率單晶氧化鋅及其制備方法和應用。該方法是將單晶ZnO晶片置于金屬鋰
電化學裝置中恒流放電處理后,放于800~1000℃、10~30atm的高壓氧氣氣氛中退火處理20~28小時,得到所述高電阻率單晶氧化鋅。該方法采用電化學方法結(jié)合退火處理,只需要簡單的兩個步驟即可獲得超高電阻率的單晶ZnO晶片,得到的ZnO晶片電阻率高達1011?ohm?cm。而且,本發(fā)明的制備方法新穎、操作簡單,成本低,可重復性高,具有很好的推廣應用前景。
聲明:
“高電阻率單晶氧化鋅及其制備方法和應用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)