本發(fā)明公開(kāi)了一種制造熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的方法,包括:制備鉭酸鋰晶片襯底;在鉭酸鋰晶片襯底的第一表面上形成鉻金屬薄膜;在鉻金屬薄膜上形成鎳金屬薄膜;在鎳金屬薄膜上形成第一鉻
鎳合金層并刻蝕形成上電極;在鉭酸鋰晶片襯底的第二表面上形成第二鉻鎳合金層并刻蝕形成下電極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法制造的熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的吸收層具有附著牢固、重復(fù)性好、吸收波段寬、光譜平坦、吸收率高、比熱容小、傳熱性能優(yōu)良的優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)吸收層可兼做電極,適合作為熱釋電紅外探測(cè)器的吸收層。
聲明:
“制造熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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