本發(fā)明公開了一種太赫茲輻射源及其制備方法,包含內(nèi)嵌的周期極化鈮酸鋰芯層(4)和復合微帶線結(jié)構(gòu),復合微帶線結(jié)構(gòu)自下向上包括硅基底(1)、下層金膜(2)、苯環(huán)丁烷(benzocyclobutene?BCB)有機高分子材料包層(3)和兩端側(cè)壁金電極(5)及上層金電極(6)。本發(fā)明有益效果包括:(1)被束縛在微帶線結(jié)構(gòu)中的太赫茲波,降低了鈮酸鋰材料對太赫茲的吸收,從而實現(xiàn)毫瓦量級太赫茲輻射源,顯著提高光整流產(chǎn)生的太赫茲輻射源輸出功率;(2)復合微帶線結(jié)構(gòu)使得太赫茲波能夠以低損耗系數(shù)在該復合結(jié)構(gòu)中不斷產(chǎn)生并傳播;在端面實現(xiàn)更高的輸出太赫茲能量,實際應用中更靈活;可進而發(fā)展成為集太赫茲源、波導、檢測為一體的高集成度太赫茲有源器件。
聲明:
“太赫茲輻射源及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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