一種非極性GaN薄膜及其生長方法,在金屬有機物化學(xué)氣相淀積(MOCVD)系統(tǒng)中,在鋁酸鋰(LiAlO2)襯底上,在N2保護下,升溫到800-900℃,生長低溫保護層,低溫保護層反應(yīng)室壓力為150-500torr,三甲基鎵(TMGa)流量為1-50sccm,對應(yīng)于摩爾流量:4E-6mole/min-3E-4mole/min,然后降低壓力至100-300torr,升溫到1000-1100℃繼續(xù)生長非摻雜氮化鎵(U-GaN)層,TMGa流量為10-200sccm,對應(yīng)于摩爾流量:4E-5mol/min-1E-3mole/min,然后再升溫到1150-1200℃,生長高溫U-GaN約100nm,然后再降溫到1000-1100℃生長U-GaN。通過生長低溫保護層,保護鋁酸鋰襯底不被高溫破壞,短暫的高溫U-GaN的目的是改善生長的GaN薄膜的表面平整度。
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