本發(fā)明涉及一種基于鈮酸鋰薄膜的高消光比光開關(guān),該光開關(guān)包括自上而下依次設(shè)置的鈮酸鋰薄膜層、光限制層和基底,鈮酸鋰薄膜層上設(shè)置有若干個電極組,電極組沿著鈮酸鋰薄膜層的長度方向設(shè)置,每個電極組包含兩個電極;電極組的形狀為直條形電極組或彎曲形電極組或Y分叉型電極組。本發(fā)明提供了一種基于鈮酸鋰薄膜的高消光比光開關(guān),基于鈮酸鋰薄膜的高消光比光開關(guān)巧妙利用鈮酸鋰材料的電光特性,通過電光效應(yīng)改變材料折射率,從而提高材料特定區(qū)域單元的折射率,形成材料的波導(dǎo)結(jié)構(gòu),從而實現(xiàn)材料層光路的導(dǎo)通;未加電區(qū)域,材料層光路關(guān)斷,進(jìn)而實現(xiàn)高消光比光開關(guān)的功能。
聲明:
“基于鈮酸鋰薄膜的高消光比光開關(guān)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)