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MOS管導(dǎo)通低功耗抗干擾電路

941   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 20:38:03
本實(shí)用新型提供一種MOS管導(dǎo)通低功耗抗干擾電路,主要解決了現(xiàn)有低壓新能源電源轉(zhuǎn)換器功耗高、效率低、可靠性差的問(wèn)題。該MOS管導(dǎo)通低功耗抗干擾電路采用交錯(cuò)PWM控制方式使M1、M2交錯(cuò)導(dǎo)通,每個(gè)VMOS開(kāi)關(guān)工作頻率為1/2電路頻率,能夠使VMOS開(kāi)關(guān)在較低開(kāi)關(guān)頻率下工作,大幅降低開(kāi)關(guān)功耗;相應(yīng)地,電路中L、C器件的工作頻率為2倍VMOS管頻率,較高的電路工作頻率降低了對(duì)LC電路中電感(L)量和電容(C)的要求,降低了成本及工藝難度;在負(fù)載之前,設(shè)置有輸出保護(hù)電路,能夠保證BOOST輸出在負(fù)載短路時(shí)自動(dòng)調(diào)整,限流輸出,同時(shí)仍保證低功耗。
聲明:
“MOS管導(dǎo)通低功耗抗干擾電路” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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