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直接生長三維納米陣列電極用作高面積容量的鈉存儲

889   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-18 20:31:42
本發(fā)明屬于新能源材料技術領域,具體涉及一種利用簡單的直接生長法獲得三維納米陣列金屬硒化物電極的方法。采用直接生長法,電極的活性材料分數(shù)達到100%,而且活性材料的負載可以通過簡單調(diào)節(jié)前驅(qū)體的量來調(diào)節(jié)。分級三維的納米陣列結(jié)構(gòu)保證了電極在高的活性材料負載下充分的電化學反應和快速的電荷轉(zhuǎn)移。電極在鈉離子電池上展現(xiàn)出非常優(yōu)異的面積容量。在0.2mA?cm?2的電流密度,電池100個循環(huán)后仍有2.33mA?h?cm?2的容量,容量保持率達到95%。在高的電流密度4.0mA?cm?2下,電池仍然擁有1.36mA?h?cm?2的容量。由于高的面積容量和簡單的制備過程,這種直接生長獲得的三維納米陣列金屬硒化物電極對于鈉離子電池的實際應用是非常有潛力的。
聲明:
“直接生長三維納米陣列電極用作高面積容量的鈉存儲” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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