本發(fā)明涉及一種Cu(In1-xGax)Se2薄膜及其制備和應(yīng)用,屬于新能源及
新材料制備領(lǐng)域,具體涉及
太陽(yáng)能電池薄膜制備領(lǐng)域。該制備方法采用單靶磁控濺射技術(shù)和快速熱處理技術(shù)相結(jié)合制備銅銦鎵硒薄膜,整個(gè)制備過(guò)程無(wú)硒化步驟。制得的銅銦鎵硒薄膜具有黃銅礦物相結(jié)構(gòu),可用作太陽(yáng)能電池的光吸收層。本發(fā)明所述方法工藝簡(jiǎn)單,膜基附著性強(qiáng)、無(wú)需硒化處理、利于環(huán)保和節(jié)能、便于大面積生產(chǎn)。
聲明:
“Cu(In1-xGax)Se2薄膜及其制備和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)