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硅薄膜太陽電池用P型窗口層及其制備方法

791   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 20:26:32
本發(fā)明涉及硅薄膜太陽電池的窗口層,特別是p 型窗口層的結(jié)構(gòu)和制備技術(shù),屬于新能源中薄膜太陽電池的技 術(shù)領域。硅薄膜太陽電池用p型窗口層,由透明襯底、透明導 電薄膜、p型窗口層等組成,其特點在于:P層分為 P1和 P2兩層, P1層是具有高晶化率寬帶隙納 米硅的薄膜,厚度比P2層要薄一 個數(shù)量級。在設計p型窗口層時,采用雙層p型摻雜層結(jié)構(gòu)。 調(diào)控兩層的晶化率、摻雜濃度與厚度,來達到晶化和摻雜效果 分別完成、最終合成一致達到高電導、高晶化率同時得以滿足 的效果,為隨后微晶硅有源層的生長提供良好晶化基礎,并以 高電導的p型摻雜提供高開路電壓和低的串聯(lián)電阻,從而在保 證穩(wěn)定性基礎上提高電池效率,有利展示薄膜電池低成本的優(yōu) 勢。
聲明:
“硅薄膜太陽電池用P型窗口層及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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