本發(fā)明公開了一種基于可控生長中心制備碳化硅單晶的方法,屬于晶體生長領(lǐng)域。本發(fā)明通過在粉料和生長腔室內(nèi)放置偏向的生長組分導(dǎo)流裝置來調(diào)控生長組分流的傳輸方向和輸運組分流密度,優(yōu)先形成一條狹長的生長中心小面并保持一直處于生長面邊緣位置,從而使得所需單晶直徑內(nèi)維持均衡的臺階流生長模式,并可完整地維持籽晶的晶型,最終能夠獲得單一晶型高質(zhì)量的碳化硅晶體。本發(fā)明方法制備的高質(zhì)量碳化硅單晶,可廣泛地應(yīng)用在新能源電動汽車、機(jī)車牽引、工業(yè)自動化、不間斷電源、大功率充電樁以及能源互聯(lián)網(wǎng)等電力電子領(lǐng)域。
聲明:
“基于可控生長中心制備碳化硅單晶的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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