本發(fā)明屬于新能源
新材料領(lǐng)域,尤其涉及一種ITO薄膜,具體為一種高透高遷移率ITO薄膜的制備方法。該方法包括以下步驟:S1、在襯底上生長(zhǎng)In
2O
3籽晶層;S2、在S1生長(zhǎng)的In
2O
3籽晶層上生長(zhǎng)ITO薄膜;S3、將S2中的復(fù)合薄膜進(jìn)行退火處理。本發(fā)明提供的ITO薄膜的制備方法,通過在兩步法制備ITO薄膜引入In
2O
3籽晶層,提高了與P型
半導(dǎo)體材料的接觸特性,同時(shí)在制備過程中引入氫氣,提高了ITO薄膜透過率、與載流子遷移率,薄膜材料的性能顯著得到提高。
聲明:
“高透高遷移率ITO薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)