本發(fā)明屬于
復(fù)合材料領(lǐng)域的一種PZT-ZnO薄膜,具體實(shí)施方式;基底上先利用射頻磁控濺射法制備ZnO薄膜,然后在摻雜ZnO薄膜上制備PZT薄膜,低溫?zé)Y(jié)后得到CNT-ZnO透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜。該薄膜膜結(jié)構(gòu)均勻致密,導(dǎo)電性能良好。
聲明:
“PZT-ZnO薄膜” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)