本發(fā)明涉及一種電磁屏蔽用軟磁合金及其制備方法,屬于電磁
復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。該合金的表達(dá)式為:MaZbTcSid;其中,表達(dá)式中M為Fe、Co、Ni中的至少一種,Z為P、N、B、C、O、As中的至少一種,T為Sn、Sb、Pb、Al、Bi、Ga、Zr、Ti、Ta、Hf、Nb、V、W、Mo、Mn、Cr、Y中的至少一種,其余為少量不可避免的雜質(zhì);所述表達(dá)式中a、b、c和d分別表示各對(duì)應(yīng)組分的原子百分比含量(原子%),且滿足:25≤a≤70,5≤b≤70,0≤c≤10,0< d≤20,且a+b+c+d=100。該合金具有優(yōu)良的導(dǎo)磁性、極低的磁損耗以及良好的韌性,特別適用于高頻下的電磁屏蔽。
聲明:
“電磁屏蔽用軟磁合金及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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