本發(fā)明涉及一種無機(jī)納米粒子修飾PVP絕緣層氣體傳感器制備方法。傳感器為OFET器件結(jié)構(gòu),包括硅襯底(1),二氧化硅絕緣層(2),PVP/TiO
2復(fù)合材料絕緣層(3),P3HT氣體敏感層(4)以及在氣體敏感層上蒸鍍的Ag叉指電極(5),器件通過簡單的旋涂工藝進(jìn)行絕緣層和氣體敏感層薄膜的制備,利用真空蒸鍍技術(shù)蒸鍍Ag叉指電極(5),TiO
2納米粒子經(jīng)過吡啶改性增加了與PVP聚合物(6)的相容性,吡啶修飾的TiO
2納米粒子(7)與PVP聚合物混合提高了絕緣層的介電常數(shù),有利于降低器件的工作電壓,從而降低器件的功耗,其次促進(jìn)了氣體敏感層材料P3HT的結(jié)晶,提高了傳感器對氣體的響應(yīng)能力。該氣體傳感器具有靈敏度度高,在室溫下工作和制備工藝簡單的優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“無機(jī)納米粒子修飾PVP絕緣層氣體傳感器制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)