本實(shí)用新型公開了一種單晶硅坩堝,包括坩堝部本體,配置為盛放石英坩堝;所述坩堝部包括孔單元,設(shè)置于坩堝部本體的側(cè)壁,連通坩堝部的內(nèi)外空間;孔單元在第二坩堝單元圓周方向上所占的比例,自坩堝部底部一側(cè)向另一側(cè)逐漸增大;所述坩堝部由碳?碳
復(fù)合材料制成。本實(shí)用新型提供一種單晶硅坩堝,采用碳?碳復(fù)合材料作為坩堝側(cè)壁,減少側(cè)壁厚度,增大坩堝的容積,提高了單晶硅的產(chǎn)量;側(cè)壁孔單元的設(shè)置,提高了加熱器發(fā)熱體對石英坩堝及硅熔體的熱量傳遞,通過在側(cè)壁上設(shè)置不同尺寸、不同形狀或者分布密度不同的孔單元,可以有效控制硅熔體內(nèi)部溫度梯度的分布,控制硅熔體的對流,從而降低單晶硅的氧含量。
聲明:
“單晶硅坩堝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)