本發(fā)明公開(kāi)了一種用作太赫茲和紅外光偏振調(diào)制的薄膜材料及其制備方法。該薄膜材料具體為:在銻化鎵的基質(zhì)中嵌入銻化鉺的納米線(xiàn)陣列,納米線(xiàn)陣列的方向與基質(zhì)表面垂直或者平行,當(dāng)銻化鉺的體積比濃度為10%時(shí),納米線(xiàn)陣列的方向垂直于基質(zhì)表面;當(dāng)銻化鉺的體積比濃度為15?25%時(shí),納米線(xiàn)陣列的方向平行于基質(zhì)表面,本發(fā)明通過(guò)分子束外延的方法,獲得在
半導(dǎo)體材料中嵌入具有半金屬性質(zhì)的納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)的
復(fù)合材料,這種材料可用作寬頻的太赫茲和紅外偏振器,并可與基于III-V族半導(dǎo)體材料的太赫茲和紅外光電器件進(jìn)行集成。
聲明:
“用作太赫茲和紅外光偏振調(diào)制的薄膜材料及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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