本發(fā)明公開(kāi)一種無(wú)定形CoMoS
4/NiSe納米片陣列
復(fù)合材料的制備方法,包括以下步驟:(1)在水熱條件下,六水合硝酸鈷和七水合鉬酸鈉發(fā)生反應(yīng),在泡沫鎳上生長(zhǎng)出CoMoO
4納米片陣列;(2)將硫化鈉與CoMoO
4納米片陣列進(jìn)行水熱反應(yīng)形成無(wú)定形CoMoS
4納米片陣列;(3)在水熱條件下,六水合氯化鎳、二氧化硒和尿素發(fā)生反應(yīng)形成無(wú)定形NiSe,并沉積在無(wú)定形CoMoS
4納米片陣列的表面,最終得到無(wú)定形CoMoS
4/NiSe納米片陣列復(fù)合材料。該制備方法簡(jiǎn)單、成本低,且制得的無(wú)定形CoMoS
4/NiSe納米片陣列復(fù)合材料具有高的比電容和良好的循環(huán)穩(wěn)定性,可應(yīng)用于超級(jí)電容器電極材料,具有很好的應(yīng)用前景。
聲明:
“無(wú)定形四硫代鉬酸鈷/硒化鎳納米片陣列復(fù)合材料的制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)