本發(fā)明提供了一種CuS?MXene納米
復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,屬于納米能源材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的CuS?MXene納米復(fù)合材料包括MXene和附著在所述MXene上的CuS納米顆粒;所述MXene為單層和/或少層MXene。本發(fā)明在MXene單/少片層上均勻生長納米級CuS顆粒,可以增加CuS
正極材料的導(dǎo)電性,避免隨著尺度減小CuS顆粒的團(tuán)聚,抑制反復(fù)充放電過程CuS結(jié)構(gòu)的不可逆破壞,同時(shí)二維材料較高的比表面積能夠有效增大電解質(zhì)與正極材料的接觸面積,提升
電化學(xué)性能。
聲明:
“CuS-MXene納米復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)