本發(fā)明公開了一種銅填充
碳納米管陣列基
復(fù)合材料及其制備方法。所述制備方法包括:提供碳納米管陣列;將含銅前驅(qū)體、碳納米管陣列分別置于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的第一溫區(qū)、第二溫區(qū);使所述前驅(qū)體汽化,并以還原性載氣攜帶所述前驅(qū)體進(jìn)入所述碳納米管陣列內(nèi)部;使所述還原性載氣與所述前驅(qū)體在所述碳納米管陣列內(nèi)部反應(yīng)形成復(fù)數(shù)個(gè)納米銅顆粒,并使所述復(fù)數(shù)個(gè)納米銅顆粒在所述碳納米管陣列的內(nèi)部孔隙中成核生長(zhǎng),形成復(fù)數(shù)個(gè)微米銅顆粒;對(duì)填充有微米銅顆粒的所述碳納米管陣列進(jìn)行高溫退火處理,使所述復(fù)數(shù)個(gè)微米銅顆粒相互融合,獲得銅填充碳納米管陣列基復(fù)合材料。本發(fā)明所制備的銅填充碳納米管陣列基復(fù)合材料具有優(yōu)異熱傳導(dǎo)性能。
聲明:
“銅填充碳納米管陣列基復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)