本發(fā)明提供一種微米級多孔Si/SiO2
復合材料、制備方法及其應(yīng)用,屬于微
納米材料合成領(lǐng)域。本發(fā)明所使用的含硅物質(zhì)為廉價易得的工業(yè)級硅源,制備的Si/SiO2復合材料呈直徑為20μm的圓盤狀,且表面具有豐富的孔隙結(jié)構(gòu)。所述的Si/SiO2復合材料具有獨特的三元組成結(jié)構(gòu),其中,晶體硅作為活性物質(zhì),提供較高的負極容量,晶體二氧化硅作為骨架,維持復合材料微米級結(jié)構(gòu),無定形二氧化硅包覆晶體硅,緩解硅負極在充放電過程中的體積變化。另外,本發(fā)明原料易得,工藝簡單,成本較低,適合工業(yè)化生產(chǎn),應(yīng)用前景廣闊。
聲明:
“微米級多孔Si/SiO2復合材料、制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)