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晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料及其制備方法

1138   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:28:02
本發(fā)明公開了一種晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料及其制備方法。三維網(wǎng)狀晶體二氧化硅均勻分布在碳顆粒表面構(gòu)成該晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料,其中的二氧化硅為四方晶體,屬于P41212空間群,a=b=4.973,c=6.924;該晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料的孔隙率為40-80%,中位孔徑為100-2000nm,電阻率為0.10-80Ω·cm,該晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料中二氧化硅的質(zhì)量百分含量為30-90%,碳材料的質(zhì)量百分含量為10-70%。其制備方法至少包含以下步驟:混合:將二氧化硅顆粒、碳材料以及助熔劑混合均勻,制成粉末狀混合物;成型:將粉末狀混合物成型制成多孔塊體;燒結(jié):將所獲得的多孔塊體在惰性氣氛中經(jīng)高溫?zé)崽幚沓ブ蹌┖蟮玫饺S網(wǎng)狀晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料。
聲明:
“晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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