本發(fā)明涉及一種Hf?Ta?C增強的C/SiC陶瓷基
復合材料的制備方法,所述制備方法包括如下步驟:(1)提供碳/碳基體;(2)以硅合金為反應物,采用反應熔滲法將所述碳/碳基體制成C/SiC陶瓷基復合材料;(3)以鉿鉭前驅(qū)體溶液作為反應物,采用浸漬裂解法與所述C/SiC陶瓷基復合材料反應,制得所述Hf?Ta?C增強的C/SiC陶瓷基復合材料。該制備方法充分發(fā)揮反應熔滲法高效率優(yōu)勢,并借助于浸漬裂解法,進一步降低孔隙率和復合材料的抗燒蝕性能,從而有效解決了C/SiC陶瓷基復合材料孔隙較多而導致抗燒蝕性能較差的問題。
聲明:
“Hf-Ta-C增強的C/SiC陶瓷基復合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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