本發(fā)明涉及一種納米箔帶擴(kuò)散連接碳化硅陶瓷基
復(fù)合材料的工藝,屬于焊接制造技術(shù)領(lǐng)域。由于陶瓷及陶瓷基復(fù)合材料的加工性能較差、耐熱沖擊能力弱,國內(nèi)外在陶瓷或陶瓷基復(fù)合材料的連接中,普遍使用傳統(tǒng)的Ag-Cu-Ti、Cu-Ti系活性釬料進(jìn)行釬焊連接,但相應(yīng)的接頭耐熱溫度很難超過500℃。本發(fā)明提供一種可用于SiC陶瓷基復(fù)合材料的低溫活化連接、接頭耐高溫的連接方法,通過采用納米級(jí)厚度的Ti和Al金屬層交替疊加的箔帶作為焊料,經(jīng)過熱壓燒結(jié)方法,實(shí)現(xiàn)碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的連接,獲得的連接接頭不僅室溫強(qiáng)度高,而且室溫接頭強(qiáng)度的75%以上可以穩(wěn)定至1100℃的高溫。
聲明:
“納米箔帶擴(kuò)散連接碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)